同步整流電路部分：週邊電路零件的選擇－DRAIN引腳的D1、R1、R2

上一篇文章作為同步整流部分設計的開頭，介紹了確定設計所用的電源IC相關內容。本文開始進入所選電源IC BM1R00147F的週邊電路零件的選擇部分。本文介紹DRAIN引腳的D1、R1、R2。

同步整流電路部分：週邊電路零件的選擇－DRAIN引腳的D1、R1、R2

下面是DRAIN引腳沒有突波對策時的電路和波形圖範例。

V_DS2的波形（淺藍色）中，在上升沿產生了突波（或尖峰）。這會導致誤檢測，V_GS2（紫色）在比本來所需時間短的時間關斷了。

下面是作為該突波的對策，在DRAIN引腳添加了D1、R1、R2後的電路和波形圖範例。

突波因D1、R1、R2而受到抑制，V_DS2的檢測正常，V_GS2也變為正常波形。

至此，您應該瞭解插入D1、R1、R2的目的和效果了，下面介紹它們的具體常數設定。

■二極體D1
二極體D1為MOSFET導通時的電流路徑。在電路圖中僅僅是二極體的符號，請選用正向電壓V_f低的小訊號蕭特基二極體（SBD）。另外，DRAIN引腳的電阻高，因此D1無需V_DS2以上的耐壓，可選用低耐壓產品。在該設計案例中，選用ROHM生產的RB751VM-40（V_R＝30V、I_O＝30mA、V_f MAX＝0.37V）。

■R1
R1是V_DS2檢測濾波器用電阻。請插入300Ω~2kΩ左右的電阻。需要根據V_DS2的波形和V_GS2的波形進行選擇。在該設計案例中是1kΩ。另外，關於R1的常數設定，計畫另行詳細介紹。

■R2
R2是限流電阻。在二次側MOSFET M2電流I_FET2開始流動的瞬間，二次側MOSFET M2處於OFF狀態，因此I_FET2會流過二次側MOSFET M2的本體二極體，故V_DS2＝－V_{f_M2}（MOSFET M2的本體二極體的V_f）。IC的DRAIN引腳變為負電壓，因此從IC流出電流Id。（參見下圖）

為了保護IC，R2的選擇需要滿足此時流過的電流Id在6mA以下。R2可透過以下公式計算出來。

當MOSFET M2的本體二極體的V_f最大值V_{f_M2 MAX}為1.2V、D1的V_f最小值V_{f_D1_MIN}＝0.2V、IC內部ESD二極體的V_f最小值V_{f_ESD_MIN}＝0.4V時，R2＞100Ω。

考慮到餘量，選擇150Ω。