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基本知識
SiC功率元件
基本知識
SiC功率元件
基礎篇
前言
前言
何謂SiC（碳化矽）？
何謂碳化矽﹙Silicon Carbide﹚
SiC功率元件的開發背景和優點
SiC蕭基特二極體
所謂SiC-SBD－特徵以及與Si二極體的比較
所謂SiC-SBD－與Si-PND的反向恢復特性比較
所謂SiC-SBD－與Si-PND的正向電壓比較
所謂SiC-SBD－SiC-SBD的發展歷程
所謂SiC-SBD－使用SiC-SBD的優勢
所謂SiC-SBD－關於可靠性試驗
何謂SiC-MOSFET
SiC-MOSFET的特長
功率電晶體的結構與特長比較
所謂SiC-MOSFET－與Si-MOSFET的區別
與IGBT的區別
何謂SiC-MOSFET－本體二極體的特性
何謂SiC-MOSFET－溝槽結構SiC-MOSFET與實際產品
何謂SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的應用實例
何謂SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的可靠性
全SiC功率模組
所謂全SiC功率模組
全SiC功率模組的切換損耗
運用要點
閘極驅動 其1
閘極驅動 其2
緩衝(Snubber)電容
應用要點
專用閘極驅動器和緩衝(Snubber)模組的效果
支援工具
全SiC模組損耗模擬器
總結
總結
応用編
SiC MOSFET：橋式結構中Gate-Source電壓的動作
前言
SiC MOSFET的橋式結構
SiC MOSFET的閘極驅動電路和Turn-on/Turn-off動作
橋式電路切換產生的電流和電壓
低側切換導通時的Gate-Source間電壓的動作
低側切換關斷時的Gate-Source間電壓的動作
總結
SiC MOSFET：閘極-源極電壓的突波抑制方法
什麼是閘極－源極電壓產生的突波？
突波抑制電路
正電壓突波對策
負電壓突波對策
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