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2020.01.08 DC/DC

損耗因素

損耗探討

本文將探討工作條件和損耗增加之間的關係。

損耗因素

此前介紹過在電源電路的很多部位都會產生損耗,整體損耗的構成部分–特定部位的損耗在某些工作條件下會增加。所以需要先認識到工作條件是造成損耗增加的因素之一。下面匯總了與條件相關的造成損耗的因素,同時還給出了損耗的計算公式,這樣可以更明確地理解其關聯性。

隨著負載電流 I_O 的增加而增加的損耗因素

・高側的MOSFET導通電阻 P_ONH 帶來的傳導損耗

    P_ONH=P_ONH×〖I_O〗^2×V_O/V_IN

・低側的MOSFET導通電阻 P_ONL 帶來的傳導損耗

    P_ONL=P_ONL×〖I_O〗^2×(1-V_O/V_IN )

・電感(線圈)的DCR RDC 帶來的傳導損耗

    P_COIL=R_DC×〖I_O〗^2

隨著頻率 f_SW 的提高而增加的損耗因素

・閘極電荷損耗

    P_GATEH=〖Qg〗_H(total) ×V_Driver×f_SW P_GATEL=〖Qg〗_L(total) ×V_Driver×f_SW

受負載電流 I_O 和頻率f_SW 兩者影響的損耗因素

・切換損耗

    P_SWH=0.5×V_IN×I_O×(t_RISE+t_FALL )×f_SW

・Dead Time損耗

    P_DT=2×V_F×I_O×t_(dead_time)×f_SW

這些是和電源電路的規格變更和條件變動有關的因素。只要理解了這些關係,就可以明白探討規格和條件變更時的注意要點。

重點:

・整體損耗的構成部分--特定部位的損耗在某些工作條件下會增加。

・通過損耗計算公式瞭解了其主要因素,就可以明白規格和條件變更時的注意要點。

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