所謂MOSFET－開關特性及其溫度特性

前篇對MOSFET的寄生電容進行了介紹。本篇將介紹開關特性。

MOSFET的開關特性

在功率轉換中，MOSFET基本上被用作開關。MOSFET的開關特性一般提供導通延遲時間：T_d(on）、上升時間：t_r、關斷延遲時間：：T_d(off）、下降時間：t_f。下面是從以低啟動電阻和高速開關為特長的Nch 600V 4A的MOSFET R6004KNX的技術規格中摘錄的內容。這些參數的名稱和符號，各廠家間可能多少有些不同。例如，導通（關斷）延遲時間與Turn-on (off)delay time，上升（下降）時間與 rising (falling) time 或 rise (fall) time等。

這些與開關相對的參數，受測量電路的信號源電阻和汲極負載電阻RL的影響較大。 因此，基本上會規定測量條件，提供測量電路。一般技術規格中會提供上例中所示的V_DD、V_GS、I_D、R_L、R_G的條件。規定的條件適用於提供的測量電路。

另外，因為是時間參數，因此其參數規定可能是“從哪裡到哪裡的時間”。

  >導通延遲時間：從V_GS上升10%到V_DS上升10%的時間
  >上升時間：從V_DS上升10%到90%的時間

  >關斷延遲時間：從V_GS下降90%到V_DS下降90%的時間
  >下降時間：從V_DS下降90%到10%的時間

這裡的V_DS“上升/下降”的表達從波形看可能好像是反的，這是因為輸出是反轉的。例如，導通時間可解釋為“V_GS上升到10%後，到MOSFET導通10%的時間”。

開關特性的溫度特性

這些開關時間隨著溫度上升略有増加趨勢。由於溫度上升100℃約增加10%左右，因此可以認為幾乎沒有溫度相依性。下面是實測例。

下一篇計畫介紹ID-V_GS特性。