總結

本文將對該系列內容進行總結。

在“透過雙脈衝測試評估MOSFET的反向恢復特性”中，重點關注了由於逆變器電路、Totem Pole型功率因數校正（PFC）電路等是兩個MOSFET串聯連接的橋式電路，因此存在因上下橋臂的直通電流導致導通損耗增加的現象。

該現象受切換MOSFET和相對臂MOSFET的本體二極體（寄生二極體）的反向恢復特性影響很大，因此給出了使用雙脈衝測試評估MOSFET本體二極體的反向恢復特性的結果。

在雙脈衝測試中，從兩個角度比較並評估了導通損耗。一個是標準SJ MOSFET與PrestoMOS™（具有快速恢復特性的SJ MOSFET）的比較，另一個是與不同製造商生產的SJ MOSFET（以快速恢復特性為特點）的比較。

在此次評估中獲得了以下兩個結果，並且驗證了一個關鍵要點：要想減少導通損耗，需要評估MOSFET本體二極體的反向恢復特性並選擇具有出色反向恢復特性的MOSFET，這一點至關重要。

• 　1.在標準SJ MOSFET與具有快速恢復特性的PrestoMOS™的比較中，作為導通損耗主要原因的反向恢復電流Irr和反向恢復電荷Qrr在PrestoMOS™中要小得多，有助於降低切換損耗。
• 　2.在與不同製造商生產的具有快速恢復特性的SJ MOSFET的比較中，製造商之間的Irr和Qrr存在差異，PrestoMOS™是此次比較的三家公司中表現最出色的，並且切換損耗的降低效果最好。

除此以外，還提出了一個注意事項：有時候即使具有快速恢復特性，也可能無法降低導通損耗，抑制導致這種情況的主要原因“誤啟動”也很重要。誤啟動是因MOSFET的各閘極電容（C_GD,C_GS）和RG引起的現象，在橋式電路中，當位於切換側的MOSFET導通（Turn-on）時，在原本為OFF狀態的續流側MOSFET發生了不應發生的導通，導致直通電流流過，損耗增大。

下圖在“誤啟動的發生機制”一文中使用過，從圖中可以看出，當發生誤啟動時，除了本體二極體的反向恢復電流外，還會流過更大的直通電流。

如上面的評估結果2所示，在與來自不同製造商的具有快速恢復特性的SJ MOSFET的比較中，PrestoMOS™的導通損耗最低，這是因為PrestoMOS™不僅具有快速恢復特性，而且在設計時特別最佳化了各閘極電容的比率，抑制了誤導通現象。

因此，除了MOSFET本體二極體的反向恢復特性（Irr和Qrr）之外，橋式電路的切換損耗還受到誤啟動帶來的直通電流的影響，因此選擇能夠抑制這兩者的MOSFET是減少切換損耗的關鍵要點。

下面是每篇文章的連結和關鍵要點匯總。

什麼是雙脈衝測試？

• 　雙脈衝測試是廣泛應用於MOSFET和IGBT等功率切換元件特性評估的一種測試方法。
• 　雙脈衝測試不僅可以評估物件元件的開關特性，也可以評估體二極體和外接快速恢復二極體等的恢復特性。
• 　雙脈衝測試對導通時發生恢復特性引起損耗的電路評估非常有效。

透過雙脈衝測試評估反向恢復特性

• 　在橋式電路中，當MOSFET的本體二極體恢復特性較差時，導通損耗會增加。
• 　反向恢復電流Irr和反向恢復電荷Qrr較低的MOSFET，導通損耗E_{ON_L}也較小。
• 　快速恢復型MOSFET之間進行比較也得出同樣的結論。
• 　對MOSFET的反向恢復特性進行評估對於降低橋式電路的損耗非常重要。
• 　請注意，受誤啟動現象的影響，有時即使具有快速恢復特性，也無法降低導通損耗。

誤啟動的發生機制

• 　橋式電路中的誤啟動是指由於MOSFET的VDS急遽上升引發VGS的上升，從而導致MOSFET發生意外導通的現象。
• 　在橋式電路中，當誤啟動引發了直通電流時，導通損耗會增加，因此有時候選擇只是反向恢復特性出色的MOSFET也未必能夠獲得理想的損耗降低效果。