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2021.12.22 Si功率元件

PMDE封裝的外形和內部結構

小型、高散熱封裝「PMDE」Si二極體的評估

PMDE與PMDU封裝:外形比較

下面是PMDE和PMDU的外形比較圖。新封裝PMDE與傳統的PMDU封裝相比,安裝面積削減了約40%,儘管如此,透過將背電極面積增加約1.5倍,還是確保了與PMDU同等的封裝額定損耗,而且安裝強度也提高了約1.4倍。


傳統封裝PMDU與新封裝PMDE的外形比較

PMDE與PMDU封裝:內部結構和散熱路徑的比較

與傳統的PMDU封裝不同,新封裝PMDE對於元件與引腳框架之間的電氣連接並未使用金屬絲,而是採用了將元件直接夾在引腳框架之間“無線結構”。這種結構消除了由突波電流導致斷線的風險,實現了出色的突波電流耐受性(IFSM)。在後述的SBD產品系列中,保證了非常大的IFSM值為20~30A。下面是PMDE與PMDU內部結構和散熱路徑的比較。


PMDE與PMDU內部結構和散熱路徑的比較

在PMDU的情況下,PMDU的大部分下表面被模塑樹脂覆蓋,因此陰極側的散熱主要透過引腳框架的橫向熱傳導來進行。而PMDE的結構,透過大面積露出的底部電極,能夠直接有效地將熱量散發到電路板上。綜上所述,PMDE的設計使得封裝的額定損耗不會因小型化而降低。

關鍵要點

・PMDE與PMDU相比實際安裝面積減少了約40%,還確保了同等的封裝額定損耗,且安裝強度提高了1.4倍。

・無線結構消除了突波電流導致斷線的風險,因此實現了出色的突波電流耐受能力(IFSM)。

・PMDE的結構透過大面積露出的底部電極,能夠直接有效地將熱量散發到電路板上。

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