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Key Words : 尾電流

SiC功率元件

2018.12.20

運用要點:閘極驅動 其1

從本文開始將探討如何充分發揮全SiC功率模組的優異性能。此次作為閘極驅動的“其1”介紹閘極驅動的評估事項,在下次“其2”中介紹處理方法。 閘極驅動的評估事項:閘極誤導通 首先需要瞭解的是:接下來要介紹...

Key Words :
dV/dt
High Side
IGBT
IGBT模組
Low Side
SiC-MOSFET
SiC-SBD
上臂
下臂
全SiC功率模組
寄生電容
尾電流
振盪
振鈴
開關速度
閘極誤導通
閘極電壓升高
閘極電容
閘極電阻
閘極驅動器

SiC功率元件

2018.04.19

與IGBT的區別

上一章針對與Si-MOSFET的區別,介紹了關於SiC-MOSFET驅動方法的兩個關鍵要點。本章將針對與IGBT的區別進行介紹。 與IGBT的區別:Vd-Id特性 Vd-Id特性是電晶體最基本的特性之...

Key Words :
IGBT
Rg
Ron
SiC-MOSFET
SiC-SBD
Vd-Id特性
VDS
二極體恢復損耗
導通電阻
尾電流
恢復電流
開關損耗
閘極電阻