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Key Words : 熱阻

Si功率元件

2020.01.08

損耗因素

本文將探討工作條件和損耗增加之間的關係。 損耗因素 此前介紹過在電源電路的很多部位都會產生損耗,整體損耗的構成部分–特定部位的損耗在某些工作條件下會增加。所以需要先認識到工作條件是造成損...

Key Words :
DC/DC轉換器損耗
Ta
Tj
同步整流降壓轉換器損耗
接合部溫度
接合面溫度
損耗因素
損耗計算
效率曲線
效率表
熱計算
熱設計
熱阻
環境溫度
負載電流
降低損耗
電源損耗
頻率
額定損耗

Si功率元件

2019.12.25

封裝選型時的熱計算範例 1

在此前的文章中介紹了損耗的發生部位以及透過計算求出相應損耗的方法。從本文開始,將介紹根據求得的損耗進行熱計算,並判斷在實際使用條件下是否在最大額定值範圍內及其對應方法等。原本之所以求損耗(效率),是為...

Key Words :
DC/DC轉換器損耗
Ta
Tj
同步整流降壓轉換器損耗
接合部溫度
接合面溫度
損耗計算
效率曲線
效率曲線圖
熱計算
熱設計
熱阻
環境溫度
降低損耗
電源損耗
額定損耗

Si功率元件

2019.12.25

封裝選型時的熱計算範例 2

繼上一篇文章“封裝選型時的熱計算範例 1”之後,本文將作為“熱計算範例 2”,繼續探討為了使用目標封裝而採取的相對應策。 封裝選型時的熱計算範例 2 首先,為了方便確認,給出上次的的損耗計算及計算結...

Key Words :
DC/DC轉換器損耗
Ta
Tj
同步整流降壓轉換器損耗
接合部溫度
接合面溫度
損耗計算
效率曲線
效率表
熱計算
熱設計
熱阻
環境溫度
降低損耗
電源損耗
額定損耗

Si功率元件

2018.08.23

總結

在本章中介紹了判斷所選的電晶體在實際工作中是否適用的方法和步驟。本文將進行最後的匯總。 前面按照右側流程圖及下列各項確認了所選電晶體在實工作條件下是否適用,以及是否是在確保充分的可靠性和安全的條件...

Key Words :
IGBT
MOSFET
R6020EN
SiC-MOSFET
SJ-MOSFET
SOA
Ta
Tc
Tj
θca
θja
θjc
功耗
外殼溫度
安全工作區
封裝溫度
散熱器
散熱片
晶片溫度
熱計算
熱阻
結溫
超接合面MOSFET
降額

Si功率元件

2018.08.23

確認晶片溫度

在本章中介紹判斷所選的電晶體在實際工作中是否適用的方法和步驟。 本文將對雖然右側流程圖中沒有提及,但在下面項目中有的第⑦“確認晶片溫度”進行說明。基本上只要⑥“確認平均功耗在額定功率範圍內”完成,...

Key Words :
IGBT
MOSFET
R6020EN
SiC-MOSFET
SJ-MOSFET
SOA
Ta
Tc
Tj
θca
θja
θjc
功耗
外殼溫度
安全工作區
封裝溫度
散熱器
散熱片
晶片溫度
熱計算
熱阻
結溫
超接合面面MOSFET
降額