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產品資訊

從產品陣容樹狀圖和特色,輕鬆選出最適合的電源IC、Si和SiC的MOSFET、二極體等和相關產品。

Si蕭特基二極體

Si快速回復二極體

Si MOSFET

Si蕭特基二極體

低IR

RBQ系列
■ RBQ20BM45A RBQ30NS45A RBQ30T45A

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RBxx7系列(NEW 低IR
■ RB087BM-40 ■ RB227NS-60 ■ RB227T100

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超低IR

RBxx8系列
RB088BM-40 RB238NS-40 RB238T-40

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Si快速回復二極體

通用標準型

RFN系列
RFN20TJ6S RFN30TS6S RFN60TS6D

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Si MOSFET

標準SJ MOSFET AN系列

比平面型MOSFET更能夠大幅度降低啟電阻和閘極電荷(Qg)

R50xxANx系列(500V)
Part No. Package VDSS[V] ID[A] RDS(on)[Ω]
at 10V Typ.
R5021ANX TO220FM 500 21 0.16
R5019ANX 19 0.18
R5016ANX 16 0.21
R5013ANX 13 0.29
R5011ANX 11 0.38
R5009ANX 9 0.55
R5007ANX 7 0.75
R5005CNX 6 0.9
R5021ANJ LPTS 21 0.16
R5016ANJ 16 0.21
R5013ANJ 13 0.29
R5011ANJ 11 0.38
R5009ANJ 9 0.55
R5007ANJ 7 0.78
R5005CNJ 5 1.2
SP8K80 SOP8 (Dual) 0.5 9

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R50xxANx系列(520V)
Part No. Package VDSS[V] ID[A] RDS(on)[Ω]
at 10V Typ.
R5207AND CPT3 525 7 0.78
R5205CND 5 1.2
R60xxANx系列(600V)
Part No. Package VDSS[V] ID[A] RDS(on)[Ω]
at 10V Typ.
R6046ANZ TO247 600 46 0.069
R6046ANZ TO3PF 46 0.065
R6025ANZ 25 0.12
R6020ANZ 20 0.17
R6015ANZ 15 0.23
R6020ANX TO220FM 20 0.17
R6015ANX 15 0.23
R6012ANX 12 0.32
R6010ANX 10 0.43
R6008ANX 8 0.6
R6006ANX 6 0.85
R6020ANJ LPTS 20 0.19
R6015ANJ 15 0.23
R6012ANJ 12 0.32
R6010ANJ 10 0.43
R6008ANJ 8 0.6
R6006AND CPT3 6 0.9
R6004CND 4 1.4
R80xxANx系列(800V)
Part No. PKG VDSS (V) ID (A) RDS(on) Typ.(Ω)
Vgs=10V
Qg
Typ.(nC)
Vgs=10V
R8001CND CPT3
D-pack
800 1 6.7 7.2
R8002CND 2 3.3 12.7
R8005AND3 TO252
D-pack
800 5 1.6 21
R8007AND3 7 1.05 28
R8002ANJ LPT
D2-pack
800 2 3.3 12.7
R8005ANJ 5 1.6 21
R8008ANJ 8 0.79 39
R8002ANX TO220FM 800 2 3.3 12.7
R8005ANX 5 1.6 21
R8008ANX 8 0.79 39
R8010ANX 10 0.43 62
R8012ANZ1 TO247 800 12 0.35 78
R8016ANZ1 16 0.23 115

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低雜訊SJ MOSFET EN系列

SJ MOSFET啟動電阻低,切換速度快,也因為高速,所以改善了雜訊大這項缺點。
・組合了平面型MOS的低雜訊特性和SJ MOS的低導通電阻特性
・以低導通電阻代替平面型MOS

R60xxENx系列(600V)
PKG Part No. VDSS(V) ID(A) RDS(on) (Ω) Vgs=10V Qg (nC)
Vgs=10V
Typ.
Typ. MAX
CPT
3D-pak
R6002END 600 1.7 2.8 3.4 6.5
R6004END 4 0.9 0.98 15
TO252E
D-pak
R6007END3 600 7 0.57 0.62 20
R6009END3 9 0.5 0.535 23
R6011END3 11 0.34 0.39 32
LPT
D2-pak
R6004ENJ 600 4 0.9 0.98 15
R6007ENJ 7 0.57 0.62 20
R6009ENJ 9 0.5 0.535 23
R6011ENJ 11 0.34 0.39 32
R6015ENJ 15 0.26 0.29 40
R6020ENJ 20 0.17 0.196 60
R6024ENJ 24 0.15 0.165 70
TO220FM R6004ENX 600 4 0.9 0.98 15
R6007ENX 7 0.57 0.62 20
R6009ENX 9 0.5 0.535 23
R6011ENX 11 0.34 0.39 32
R6015ENX 15 0.26 0.29 40
R6020ENX 20 0.17 0.196 60
R6024ENX 24 0.15 0.165 70
R6030ENX 30 0.115 0.13 85
TO3PF R6015ENZ 600 15 0.26 0.29 40
R6020ENZ 20 0.17 0.196 60
R6024ENZ 24 0.15 0.165 70
R6030ENZ 30 0.115 0.13 85
R6035ENZ 35 0.095 0.102 110
TO247 R6020ENZ1 600 20 0.17 0.196 60
R6024ENZ1 24 0.15 0.165 70
R6030ENZ1 30 0.115 0.13 85
R6035ENZ1 35 0.095 0.102 110
R6047ENZ1 47 0.066 0.072 145
R6076ENZ1 76 0.038 0.042 260

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R65xxENx系列(650V)
PKG Part No. VDSS(V) ID(A) RDS(on) (Ω) Vgs=10V Qg (nC)
Vgs=10V
Typ.
Typ. MAX
CPT3
D-pak
R6502END 650 1.7 3.1 3.57 6.5
R6504END 4 0.99 1.14 15
TO252E
D-pak
R6507END3 650 7 0.63 0.725 20
R6509END3 9 0.55 0.64 23
R6511END3 11 0.375 0.435 32
LPT
D2-pak
R6504ENJ 650 4 0.99 1.14 15
R6507ENJ 7 0.63 0.725 20
R6509ENJ 9 0.55 0.64 23
R6511ENJ 11 0.375 0.435 32
R6515ENJ 15 0.29 0.335 40
R6520ENJ 20 0.19 0.22 60
R6524ENJ 24 0.165 0.19 70
TO220FM R6504ENX 650 4 0.99 1.14 15
R6507ENX 7 0.63 0.725 20
R6509ENX 9 0.55 0.64 23
R6511ENX 11 0.375 0.435 32
R6515ENX 15 0.29 0.335 40
R6520ENX 20 0.19 0.22 60
R6524ENX 24 0.165 0.19 70
R6530ENX 30 0.13 0.15 85
TO3PF R6515ENZ 650 15 0.29 0.335 40
R6520ENZ 20 0.19 0.22 60
R6524ENZ 24 0.165 0.19 70
R6530ENZ 30 0.13 0.15 85
R6535ENZ 35 0.102 0.118 110
TO247 R6520ENZ1 650 20 0.19 0.22 60
R6524ENZ1 24 0.165 0.19 70
R6530ENZ1 30 0.13 0.15 85
R6535ENZ1 35 0.102 0.118 110
R6547ENZ1 47 0.073 0.084 145
R6576ENZ1 76 0.042 0.049 260

高速SJ MOSFET KN系列

既維持了低雜訊性能,又可以滿足高速切換的要求。
・重點為高速切換性能和低導通電阻
・降低Rg和Qgd,提升切換性能
・降低切換損耗,達到高效率化

R60xxKN系列(600V)
PKG Part No. VDSS(V) ID(A) RDS(on) (Ω) Vgs=10V Qg (nC)
Vgs=10V
Typ.
Typ. MAX
CPT3
D-pak
R6002KND 600 1.7 2.8 3.4 4.5
R6004KND 4 0.9 0.98 10
TO252E
D-pak
R6007KND3 600 7 0.57 0.62 14
R6009KND3 9 0.5 0.535 16
R6011KND3 11 0.34 0.39 22
LPT
D2-pak
R6004KNJ 600 4 0.9 0.98 10
R6007KNJ 7 0.57 0.62 14
R6009KNJ 9 0.5 0.535 16
R6011KNJ 11 0.34 0.39 22
R6015KNJ 15 0.26 0.29 27
R6020KNJ 20 0.17 0.196 40
R6024KNJ 24 0.15 0.165 47
TO220FM R6004KNX 600 4 0.9 0.98 10
R6007KNX 7 0.57 0.62 14
R6009KNX 9 0.5 0.535 16
R6011KNX 11 0.34 0.39 22
R6015KNX 15 0.26 0.29 27
R6020KNX 20 0.17 0.196 39
R6024KNX 24 0.15 0.165 47
R6030KNX 30 0.115 0.13 57
TO3PF R6015KNZ 600 15 0.26 0.29 27
R6020KNZ 20 0.17 0.196 40
R6024KNZ 24 0.15 0.165 47
R6030KNZ 30 0.115 0.13 57
R6035KNZ 35 0.095 0.102 74
TO247 R6020KNZ1 600 20 0.17 0.196 40
R6024KNZ1 24 0.15 0.165 47
R6030KNZ1 30 0.115 0.13 57
R6035KNZ1 35 0.095 0.102 74
R6047KNZ1 47 0.066 0.072 97
R6076KNZ1 76 0.038 0.042 174

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Presto MOS/高速trr SJ MOSFET FN系列

變頻器電路常同時使用MOSFET/IGBT和二極體,不必外接二極體,能滿足希望減少零件數量/改善二極體效率的要求。
・改善SJ MOSFET的寄生二極體trr特性

R50xxFNx系列(500V)
PKG Part No. VDSS(V) ID(A) RDS(on)
Typ.(Ω)
Vgs=10V
Qg
Typ.(nC)
Vgs=10V
trr Typ.
(ns)
TO220FM R5009FNX 500 9 0.65 18 78
R5011FNX 11 0.4 30 85
R5016FNX 16 0.22 45 100

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R60xxFNx系列(600V)
PKG Part No. VDSS(V) ID(A) RDS(on)
Typ.(Ω)
Vgs=10V
Qg
Typ.(nC)
Vgs=10V
trr Typ.
(ns)
LPT
D2-pack
R6008FNJ 600 8 0.73 20 67
R6012FNJ 12 0.39 35 75
TO220FM R6008FNX 600 8 0.73 20 67
R6012FNX 12 0.39 35 75
R6015FNX 15 0.27 42 90
R6020FNX 20 0.2 65 105
TO3PF R6025FNZ 600 25 0.14 85 120
R6046FNZ 46 0.075 150 145
TO247 R6025FNZ1 600 25 0.14 85 120
R6046FNZ1 46 0.075 150 143

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Presto MOS/高速trr 低Ron SJ MOSFET MN系列

以進一步改善變頻器電路的效率為目標,特地改善了下列幾點。
・不必外接FRD
・閘極容量Qg
・可以改善變頻器等的效率
・改善SJ MOSFET的寄生二極體trr特性

R60xxMNx系列(600V)
PKG Part No. VDSS(V) ID(A) RDS(on)
Typ.(Ω)
Vgs=10V
Qg
Typ.(nC)
Vgs=10V
trr Typ.
(ns)
TO252
D-pack
R6007MND3 600 7 0.54 10 65
R6010MND3 10 0.27 20 70
TO220FM R6030MNX 600 30 0.11 45 92
TO3PF R6047MNZ 600 47 0.07 75 105
TO247 R6047MNZ1 600 47 0.07 75 105
R6076MNZ1 76 0.04 120 135

大電力高速切換Hybrid MOS GN系列

市場上對於節能/高效率的需求愈來愈高,可以維持MOSFET的切換速度,又能滿足對應大電力的電晶體的需求