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Key Words : 切換元件

SiC功率元件

2022.08.03

負電壓突波對策

繼上一篇“正電壓突波對策”之後,本文將會透過範例來看針對負電壓突波的對策及其效果。 關於SiC功率元件中閘極-源極間電壓產生的突波,在之前發佈的Tech Web基礎知識 SiC功率元件 應用篇的“Si...

SiC功率元件

2022.08.03

相移全橋電路的功率轉換效率提升 ー總結ー

本文從工作和電流路徑的特點角度,彙整了使用SJ MOSFET的PSFB電路的效率提升關鍵要點。 輕載時 ・由於ZVS工作很難成立,所以在導通時很容易發生損耗。 ・為了減少這種導通損耗,需要調整死區時...

SiC功率元件

2022.07.20

正電壓突波對策

在上一篇文章中,給出了一個針對閘極-源極電壓中產生的突波的抑制電路範例。本文將會透過範例來探討正電壓突波的對策和其效果。 關於SiC功率元件中閘極-源極間電壓產生的突波,在之前發佈的Tech Web基...

SiC功率元件

2022.07.06

效率的評估

針對本系列文章的主題—轉換效率,本文將會給出使用實際電源電路進行評估的結果。具體而言,本文對Q1~Q4的MOSFET使用導通電阻約0.2Ω的五種快速恢復型SJ MOSFET時的結果進行了比較。測試條件...

SiC功率元件

2021.12.22

重載時中切換元件工作相關的注意事項

在重載時,如果MOSFET的本體二極體的反向恢復時間trr較長,且有電流殘留,則在超前臂的MOSFET關斷時,寄生雙載子電晶體可能會誤導通,從而損壞MOSFET。這種問題發生在關斷時,產生對Drain...

SiC功率元件

2021.11.24

輕載時切換元件工作相關的注意事項

相移全橋電路中輕載時流過的電流小,LS中積蓄的能量少,所以很有可能在延遲臂的COSS充放電完成之前就開始切換工作。因此,ZVS工作無法執行,很容易發生MOSFET的導通損耗。 另一方面,當超前臂的MO...

SiC功率元件

2021.06.09

突波抑制電路

在上一篇文章中,簡單介紹了SiC功率元件中閘極-源極電壓中產生的突波。從本文開始,將介紹針對所產生的SiC功率元件中突波的對策。本文先介紹突波抑制電路。 關於SiC功率元件中閘極-源極間電壓產生的突波...

SiC功率元件

2021.04.21

總結

到目前為止,已經以“SiC MOSFET:橋式結構中Gate-Source間電壓的動作”為題,用了六個篇幅介紹了以大電流執行高速切換的橋式結構中可能出現的閘極電壓的動作。 在橋式結構中MOSFET的閘...

SiC功率元件

2021.03.24

低側切換關斷時的Gate-Source間電壓的動作

上一篇文章中介紹了LS切換導通時Gate-Source間電壓的動作。本文將繼續介紹LS關斷時的動作情況。 低側切換關斷時的Gate-Source間電壓的動作 下面是表示LS MOSFET關斷時的電流動...

SiC功率元件

2021.02.10

低側切換導通時的Gate-Source間電壓的動作

上一篇文章中,簡單介紹了SiC MOSFET橋式結構中閘極驅動電路的切換工作帶來的VDS和ID的變化所產生的電流和電壓情況。本文將詳細介紹SiC MOSFET在LS導通時的動作情況。 SiC MOSF...