電源設計技術資訊網站
2021.04.21
到目前為止,已經以“SiC MOSFET:橋式結構中Gate-Source間電壓的動作”為題,用了六個篇幅介紹了以大電流執行高速切換的橋式結構中可能出現的閘極電壓的動作。 在橋式結構中MOSFET的閘...
2021.03.24
上一篇文章中介紹了LS切換導通時Gate-Source間電壓的動作。本文將繼續介紹LS關斷時的動作情況。 低側切換關斷時的Gate-Source間電壓的動作 下面是表示LS MOSFET關斷時的電流動...
2021.02.10
上一篇文章中,簡單介紹了SiC MOSFET橋式結構中閘極驅動電路的切換工作帶來的VDS和ID的變化所產生的電流和電壓情況。本文將詳細介紹SiC MOSFET在LS導通時的動作情況。 SiC MOSF...
2020.11.25
在上一篇文章中,對SiC MOSFET橋式結構的閘極驅動電路的導通(Turn-on)/關斷(Turn-off)動作進行了解說。本文將介紹在SiC MOSFET這一系列切換動作中,SiC MOSFET的...
2020.10.21
本文將針對上一篇文章中介紹過的SiC MOSFET橋式結構的閘極驅動電路及其導通(Turn-on)/關斷( Turn-off)動作進行解說。 SiC MOSFET橋式結構的閘極驅動電路 LS(低側)側...
2020.09.23
在探討“SiC MOSFET:橋式結構中Gate-Source電壓的動作”時,本文先對SiC MOSFET的橋式結構和工作進行介紹,這也是這個主題的前提。 SiC MOSFET的橋式結構 下面給出的電...
2020.06.24
從本文開始,我們將進入SiC功率元件基礎知識應用篇的第一彈“SiC MOSFET:橋式結構中閘極-源極間電壓的動作”。 前言 MOSFET和IGBT等電源切換元件被廣泛應用於各種電源應用和電源線路中。...
2017.03.09
上次說明了SiC的物性和SiC功率元件的特徴。SiC功率元件可以達到超越Si功率元件的高耐壓、低ON阻抗、高速動作,亦可在更高溫下動作。這次我想談論有關SiC的開發背景和具體優點。 SiC功率元件的開...
2017.03.09
本章列舉的二極體屬於高耐壓且可處理高電流的類型,依特性、特徴、製造過程可以分類成幾項。此外,針對應用程式,二極體的特性或性能基本上已經最佳化。 整流二極體的特徴比較 這裡將整流二極體分成4個類型。通用...
2017.02.23
碳化矽、SiC﹙Silicon Carbide﹚是比較新的半導體材料。一開始 SiC的物性和特徴 SiC是由矽﹙Si﹚和碳﹙C﹚所構成的化合物半導體材料。結合力非常強,在熱量上、化學上、機械上皆很安定...