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Key Words : 導通電阻

2018.04.19

與IGBT的區別

上一章針對與Si-MOSFET的區別,介紹了關於SiC-MOSFET驅動方法的兩個關鍵要點。本章將針對與IGBT的區別進行介紹。 與IGBT的區別:Vd-Id特性 Vd-Id特性是電晶體最基本的特性之...

2018.01.29

內建高耐壓低導通電阻MOSFET的降壓型1ch DC/DC轉換器

ROHM推出內建耐壓高達80V的MOSFET的DC/DC轉換器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐壓是內建功率電晶體的非隔離型DC/DC轉換IC的業界最高水平,在ROHM...

2018.01.28

所謂SiC-MOSFET-與Si-MOSFET的區別

從本文開始,將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率電晶體的比較。 本文將介紹與Si-MOSFET的區別。尚未使用過SiC-MOSFET的人,與其詳細研究每個參數,不如先弄清楚驅動方法等與Si-MOS...

2017.11.09

超接合面MOSFET

從本篇開始,介紹近年來MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超接合面MOSFET。 功率電晶體的特長與定位 首先來看近年來的主要功率電晶體Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻...

2017.10.26

ROHM獨有的超接合面MOSFET是關鍵

-您已經介紹過BM2Pxxx系列對高效率、低功耗、低待機功耗、小型這4個課題的貢獻,多次提到“因為內建超接合面MOSFET…”。接下來請您介紹一下超接合面MOSFET(以下簡稱 SJ MO...