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Key Words : 蕭特基二極體

Si功率元件

2021.12.22

PMDE封裝的外形和內部結構

PMDE與PMDU封裝:外形比較 下面是PMDE和PMDU的外形比較圖。新封裝PMDE與傳統的PMDU封裝相比,安裝面積削減了約40%,儘管如此,透過將背電極面積增加約1.5倍,還是確保了與PMDU同...

Si功率元件

2021.12.22

PMDE封裝的散熱性能(模擬)

本文將透過模擬來比較PMDE和PMDU的散熱性能。 熱模擬方法 如下圖所示,對於在50×50×0.8t(mm)的PCB(印刷電路板)上,當安裝元件的銅箔尺寸逐漸增加時的元件溫度Tj和熱量的傳遞情況進行...

Si功率元件

2021.11.24

前言

近年來,各種電子裝置對於所安裝元件的小型化要求越來越高。但是,一般情況下,封裝的額定損耗會隨著封裝尺寸的減小而降低,因此,特別是對於蕭特基二極體(以下稱 SBD)等具有發熱造成熱失控風險的元件來說,同...

Si功率元件

2020.02.05

主要零件的選型:輸出整流二極體

本文將介紹將二次側(輸出)切換電壓整流為DC的二極體的常數計算。 輸出整流二極體:ND1 首先來看電路圖。輸出整流二極體ND1即右側電路圖中的深藍色二極體。 為了對切換電壓進行整流,輸出整流二極體...

Si功率元件

2019.02.21

總結

本文是Si功率元件基礎篇的最後一篇。之前針對整流二極體、蕭特基二極體、快速恢復二極體、MOSFET、Super Junction MOSFET、Presto MOS、Hybrid MOS等Si功率元件...

Si功率元件

2018.11.22

電流連續模式PFC : 利用二極體提高效率的例子

繼上一篇臨界模式PFC的例子之後,本文將探討電流連續模式PFC的二極體特性差異帶來的效率差異。 利用二極體改善電流連續模式PFC電路效率示例 這是以前介紹PFC時用過的簡化的PFC電路示例。下面來探討...

Si功率元件

2018.10.25

臨界模式PFC : 利用二極體提高效率的例子

在實際的應用電路中,二極體和電晶體因其特性和性能不同而需要區分使用。在電源類應用中區分使用的主要目的是提高效率。本文將介紹PFC(功率因數校正)的一個例子,即利用二極體的特性差異來改善臨界模式(BCM...

Si功率元件

2018.09.20

什麼是PFC

從本文開始將介紹在實際應用電路中二極體和電晶體的特性和性能不同會帶來什麼樣的差異、使用上有什麼區分。首先以PFC(功率因數校正)為例開始,有些電子裝置是必須配備PFC的,所以此次先稍微介紹一下PFC。...

Si功率元件

2018.01.29

BD9G341AEFJ:實現業界頂級的80V高耐壓與高效率的DC/DC轉換器:內建高耐壓低導通電阻MOSFET的降壓型1ch DC/DC轉換器

ROHM推出內建耐壓高達80V的MOSFET的DC/DC轉換器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐壓是內建功率電晶體的非隔離型DC/DC轉換IC的業界最高水平,在ROHM...

Si功率元件

2017.12.21

在功率二極體中損耗最小的SiC-SBD:SiC-SBD的產品產品一覽支援車電的650V/1200V、5A~40A

ROHM努力推進最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC(碳化矽)材料的SBD(蕭特基二極體)。2010年在日本國內率先開始SiC SBD的量產,目前正在拓展第二代SiC-SBD,並推動在包括車電在內的...