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Key Words : 開關損耗

2019.07.24

同步整流降壓轉換器的開關損耗

上一篇文章中探討了同步整流降壓轉換器的功率開關–輸出端MOSFET的傳導損耗。本文將探討開關節點產生的開關損耗。 PONH:高側MOSFET導通時的導通電阻帶來的傳導損耗 PONL...

2019.06.20

同步整流降壓轉換器的傳導損耗

在上一篇文章中,我們瞭解了同步整流降壓轉換器的損耗發生位置,並介紹了轉換器整體的損耗是各部位的損耗之和。從本文開始將探討各部位的損耗計算方法。本文介紹功率開關–輸出端MOSFET的傳導損耗...

2019.05.23

同步整流降壓轉換器的損耗

本文開始探討同步整流降壓轉換器的損耗。首先,我們來看一下同步整流降壓轉換器發生損耗的部位。然後,會對各部位的損耗進行探討。 同步整流降壓轉換器的損耗發生部位 下面是同步整流降壓轉換器的電路簡圖以及發生...

2019.03.22

雜訊對策:緩衝電路、自舉電阻、閘極電阻

本文是分兩次介紹雜訊對策的第二次介紹。本次要介紹的對策是通過增加降噪電路或增加零件來降低雜訊的三個方法。 降壓型轉換器工作時的電流路徑 開關節點的振鈴 ...

2018.06.07

何謂SiC-MOSFET-溝槽結構SiC-MOSFET與實際產品

本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET,以及可供應的SiC-MOSFET的相對資訊。 獨有的雙溝槽結構SiC-MOSFET 在SiC-MOSFET不斷發展的進程中,ROHM於世界首家實現了溝槽閘極...

2018.05.10

何謂SiC-MOSFET-本體二極體的特性

上一章介紹了與IGBT的區別。本章將對SiC-MOSFET的本體二極體的順向特性與反向恢復特性進行說明。 如圖所示,MOSFET(不局限於SiC-MOSFET)在汲極-源極間存在本體二極體。從M...

2018.04.19

與IGBT的區別

上一章針對與Si-MOSFET的區別,介紹了關於SiC-MOSFET驅動方法的兩個關鍵要點。本章將針對與IGBT的區別進行介紹。 與IGBT的區別:Vd-Id特性 Vd-Id特性是電晶體最基本的特性之...

2018.04.05

重要確認重點:測量溫度和損耗

在評價絕緣型返馳式轉換器的性能時,除了規格外,還有其他應該確認的「重要確認重點」。本節將說明「測量溫度和損耗」。 MOSFET汲極電壓和電流、輸出整流二極體的耐壓 變壓器の飽和 Vcc電壓 ...

2017.12.21

在功率二極體中損耗最小的SiC-SBD:在功率二極體中損耗最小的SiC-SBD

ROHM努力推進最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC(碳化矽)材料的SBD(蕭特基二極體)。2010年在日本國內率先開始SiC SBD的量產,目前正在拓展第二代SiC-SBD,並推動在包括車載在內的...