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Key Words : irr

Si功率元件

2021.04.07

總結

本文將對該系列內容進行總結。 在“透過雙脈衝測試評估MOSFET的反向恢復特性”中,重點關注了由於逆變器電路、Totem Pole型功率因數校正(PFC)電路等是兩個MOSFET串聯連接的橋式電路,因...

Si功率元件

2021.03.10

誤啟動的發生機制

上一篇文章中透過標準型和具有快恢復特性的SJ MOSFET的雙脈衝測試,介紹了“在橋式電路中,恢復特性可透過使用高速MOSFET來降低損耗,但是在某些情況下,即使使用高速MOSFET也無法降低導通損耗...

Si功率元件

2021.01.20

透過雙脈衝測試評估反向恢復特性

本文我們將根據使用了幾種MOSFET的雙脈衝測試結果,來探討MOSFET的反向恢復特性。該評估中的試驗電路將使用上一篇文章中給出的基本電路圖。另外,相應的確認工作也基於上次內容,因此請結合上一篇文章的...

Si功率元件

2018.06.07

何謂SiC-MOSFET-溝槽結構SiC-MOSFET與實際產品

本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET,以及可供應的SiC-MOSFET的相對資訊。 獨有的雙溝槽結構SiC-MOSFET 在SiC-MOSFET不斷發展的進程中,ROHM於世界首家實現了溝槽閘極...

Si功率元件

2018.05.10

何謂SiC-MOSFET-本體二極體的特性

上一章介紹了與IGBT的區別。本章將對SiC-MOSFET的本體二極體的順向特性與反向恢復特性進行說明。 如圖所示,MOSFET(不局限於SiC-MOSFET)在汲極-源極間存在本體二極體。從M...

Si功率元件

2017.11.09

超接合面MOSFET

從本篇開始,介紹近年來MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超接合面MOSFET。 功率電晶體的特長與定位 首先來看近年來的主要功率電晶體Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻...