Key Words : MOSFET寄生電容

本文從工作和電流路徑的特點角度，彙整了使用SJ MOSFET的PSFB電路的效率提升關鍵要點。 輕載時 ・由於ZVS工作很難成立，所以在導通時很容易發生損耗。 ・為了減少這種導通損耗，需要調整死區時...

針對本系列文章的主題—轉換效率，本文將會給出使用實際電源電路進行評估的結果。具體而言，本文對Q1～Q4的MOSFET使用導通電阻約0.2Ω的五種快速恢復型SJ MOSFET時的結果進行了比較。測試條件...

在重載時，如果MOSFET的本體二極體的反向恢復時間trr較長，且有電流殘留，則在超前臂的MOSFET關斷時，寄生雙載子電晶體可能會誤導通，從而損壞MOSFET。這種問題發生在關斷時,產生對Drain...

相移全橋電路中輕載時流過的電流小，LS中積蓄的能量少，所以很有可能在延遲臂的COSS充放電完成之前就開始切換工作。因此，ZVS工作無法執行，很容易發生MOSFET的導通損耗。 另一方面，當超前臂的MO...

本文將探討功率切換MOSFET的閘極驅動相關的損耗，即下圖的高側和低側切換的“PGATE”所示部分。 PONH：高側MOSFET導通時的導通電阻帶來的傳導損耗 PONL：低側MOSFET導通時...