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Si功率元件

2020.08.05

MOSFET的熱阻和額定損耗:可背面散熱的封裝

設計電路時,MOSFET熱計算是必不可少的專案,尤其是對於處理大功率的功率元件而言,不僅從工作壽命的角度看很重要,從安全性方面看也非常重要。此次將用兩篇文章對MOSFET的額定損耗和熱阻進行解說。本文...

Si功率元件

2020.01.08

損耗因素

本文將探討工作條件和損耗增加之間的關係。 損耗因素 此前介紹過在電源電路的很多部位都會產生損耗,整體損耗的構成部分–特定部位的損耗在某些工作條件下會增加。所以需要先認識到工作條件是造成損...

Si功率元件

2019.12.25

封裝選型時的熱計算範例 1

在此前的文章中介紹了損耗的發生部位以及透過計算求出相應損耗的方法。從本文開始,將介紹根據求得的損耗進行熱計算,並判斷在實際使用條件下是否在最大額定值範圍內及其對應方法等。原本之所以求損耗(效率),是為...

Si功率元件

2019.12.25

封裝選型時的熱計算範例 2

繼上一篇文章“封裝選型時的熱計算範例 1”之後,本文將作為“熱計算範例 2”,繼續探討為了使用目標封裝而採取的相對應策。 封裝選型時的熱計算範例 2 首先,為了方便確認,給出上次的的損耗計算及計算結...

Si功率元件

2018.08.23

總結

在本章中介紹了判斷所選的電晶體在實際工作中是否適用的方法和步驟。本文將進行最後的匯總。 前面按照右側流程圖及下列各項確認了所選電晶體在實工作條件下是否適用,以及是否是在確保充分的可靠性和安全的條件...

Si功率元件

2018.08.23

確認晶片溫度

在本章中介紹判斷所選的電晶體在實際工作中是否適用的方法和步驟。 本文將對雖然右側流程圖中沒有提及,但在下面項目中有的第⑦“確認晶片溫度”進行說明。基本上只要⑥“確認平均功耗在額定功率範圍內”完成,...

Si功率元件

2018.06.21

確認在實際使用溫度降額後的SOA範圍內

在本章中將介紹判斷所選的電晶體在實際工作中是否適用的方法和步驟。 本篇將介紹右側流程圖的④確認在使用環境溫度下降額的SOA範圍內。 ①測量實際的電流/電壓波形 ]...

Si功率元件

2018.06.21

確認平均功耗在額定功率範圍內

在本章中介紹判斷所選的電晶體在實際工作中是否適用的方法和步驟。 本文將介紹右側流程圖的“⑥確認平均功耗在額定功率範圍內”。由於這一系列是以開關工作為前提介紹的,因此在第⑤步...

Si功率元件

2018.05.10

確認在絕對最大額定值範圍內

在本章中將介紹判斷所選的電晶體在實際工作中是否適用的方法和步驟。 本篇介紹右側流程圖的②確認在絕對最大額定值範圍內。 ①測量實際的電流/電壓波形 ②確認在絕對最大額...

Si功率元件

2018.05.10

確認在SOA(安全工作區)範圍內

在本章中將介紹判斷所選的電晶體在實際工作中是否適用的方法和步驟。 本篇將介紹右側流程圖的③確認在SOA(安全工作區)範圍內。 ①測量實際的電流/電壓波形 ②確認在絕對最...