僅高耐壓無法解決用戶的課題

－接下來想請您介紹一下BD9G341AEFJ。首先請講一下概要。

BD9G341AEFJ內建的MOSFET是N頻道，額定為80V/3.5A。轉換方式是稱為“二極體整流”或“非同步整流”的降壓方式。用電阻、電容、蕭特基二極體以及電感等少量的外接元件，可簡單地構建高性能的高耐壓DC/DC轉換器。

因為是電流模式控制，所以，相位補償簡單，可獲得高速的瞬態回應。開關頻率可在50kHz～750kHz的範圍設定，以最佳化尺寸和效率。此外，還具有近年來在DC/DC轉換器上搭載的幾乎所有的保護功能。

請參考下面的特點、規格概略和應用電路例。

－我曾認為既然稱作高耐壓產品是不是因為有什麼特別之處，但其實它的構成非常簡單啊。

一般高耐壓的DC/DC轉換器多採用外接高耐壓MOSFET的電路結構來實現高耐壓，但BD9G341AEFJ通過內建MOSFET，不再需要進行MOSFET的選型工作等。安裝面積因無外接MOSFET的部分而變小。是一款不僅高耐壓，而且積集了作為最先進的DC/DC轉換IC所需特性的IC。

－也就是除高耐壓之外，還有其他優勢對吧。

BD9G341AEFJ是以4個關鍵點為前提研發的。

1．實現業界頂級的80V高耐壓
2．以80V級的DC/DC轉換器，實現業界最高效率
3．搭載防止破壞、提高安全性的保護功能，提高設備的可靠性 
4．通過小型包裝和減少外接元件，謀求進一步節省空間以及設計的簡化

－通過內建MOSFET來實現80V耐壓，還是很不容易的吧？

前面已經稍作介紹，80V的高耐壓是通過ROHM擁有的業界最先進的電源系統製程——0.6µm的高耐壓BiCDMOS而實現的。如果沒有這種高級的製造製程是無法製造的。實際上，從市場的高耐壓產品尚未達到80V看也可明確知道這一點。要想完全滿足包括電信和工業領域的48V級輸入電壓需求，需要80V的耐壓。如果是80V，可對Burst的突波等保有較大餘量，因此，可提高電源條件嚴格、實用性要求高的應用可靠性。

－關於效率,聽說在從高輸入電壓降到低電壓的條件下，效率會變差？

－處理高電壓時，防止破壞、提高安全性都是非常重要的吧。

－第4點是小型化和設計的簡化，這是近來必須考慮的課題。

－最後，請總結歸納一下。

如果考慮電信和工業設備市場的要求，現有的高耐壓DC/DC轉換IC，很難實現具有安全餘量的電源。相比之下，ROHM以實現了80V業界頂級耐壓的IC，進入高耐壓DC/DC轉換IC市場。這對用戶來說，高耐壓DC/DC轉換IC的選擇增多了。

但是，近年來的小型省電化要求、以及縮短產品投入市場的時間等課題，是必須要對應的。只是單純的“80V高耐壓”，無法解決用戶的不滿和課題，因而ROHM研發了BD9G341AEFJ。

目前，ROHM正在進行使高耐壓DC/DC轉換器產品產品一覽更完善的衍生品研發，因此，敬請期待今後的產品產品一覽。