ROHM針對工業裝置用電源、太陽能發電,功率調節器及UPS等的逆變器、轉換器，研發出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模組“BSM400D12P3G002”和“BSM600D12P3G001”。
ROHM於2012年3月份成為全球首家開始量產內建功率半導體元件全部由碳化矽所組成的全SiC功率模組的公司。其後，產品系列不斷擴大，並擁有高達1200V、300A的產品，各產品在眾多領域中被廣泛地採用。隨著新封裝的研發，ROHM持續擴充產品線，如今已經擁有涵蓋IGBT模組市場主要額定電流範圍100A～600A的全SiC模組產品。利用這些模組，可大幅提升一般同等額定電流IGBT模組應用的效率，並可進一步實現小型化。
切換損耗大幅降低，可進一步提升大功率應用的效率
ROHM利用獨有的內部結構並最佳化散熱設計研發出新型封裝，從而研發並推出了600A額定電流的全SiC功率模組產品。因此，全SiC功率模組在工業裝置用大容量電源等大功率產品中的應用逐漸加以實現。另外，與一般同等額定電流的IGBT模組相比，Tj＝150℃時的開關損耗降低了64%（與市面上銷售的IGBT模組產品技術規格書中的資料比較）。
高頻驅動，有利於週邊元件的小型化
模擬在PWM逆變器驅動時的損耗，與同等額定電流的IGBT模組相比，相同切換頻率的損耗在5kHz時減少30%、20kHz時減少55%，總體損耗顯著降低。在20kHz時，散熱器所需尺寸可比預期小88%。另外，通過高頻驅動，可使用更小體積的周邊被動元件，可進一步實現裝置的小型化。
全SiC功率模組的產品系列
| 產品名稱 | 絕對最大額定值 | 電感值 (nH) |
封裝 | 熱感應 電阻 |
內部電路圖※ | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VDSS (V) |
VGS (V) |
ID(V) [Tc=60°C] |
Tj max (°C) |
Tstg (°C) |
Visol(V) [AC 1min.] |
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| BSM080D12P2C008 | 1200 | -6 ~22 |
80 | 175 | -40 ~125 |
2500 | 25 | C type 45.6 × 122 × 17mm |
– |  |
| BSM120D12P2C005 | 120 | |||||||||
| BSM180D12P3C007 | -4 ~22 |
180 | ||||||||
| BSM180D12P2E002 | -6 ~22 |
180 | 13 | E Type 62 × 152 × 17mm |
○ |  |
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| BSM300D12P2E001 | 300 | |||||||||
| BSM400D12P3G002 | -4 ~22 |
400 | 10 | G Type 62 × 152 × 17mm |
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| BSM600D12P3G001 | 600 | |||||||||
※產品系列中還包括斬波型(Chopper)產品。
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ROHM還提供可輕鬆評估全SiC功率模組的閘極驅動器評估板。
