啟動阻抗和Qg更低，有助於實現更低功耗

ROHM在以業界最快的trr（反向恢復時間）著稱的PrestoMOS^TM產品系列中又新增了“R60xxMNx系列產品。PrestMOS與標準的超接合面MOSFET相比，trr減少約60%，從而大大降低了開關損耗，促進了生活家電和工業裝置等馬達驅動器和變頻器應用的低功耗化發展。R60xxMNx系列新品是以“不僅保持現有R60xxFNx系列的高速trr性能，還要進一步降低啟動阻抗和Qg（閘極總電荷量）並降低損耗”為目標研發而成的。一般而言，啟動阻抗和Qg存在權衡關係，但利用ROHM獨有的製程技術和最佳化技術優勢，實現了兩者的高度平衡。

※PrestoMOS是ROHM的商標。

開關損耗和傳導損耗更低

R60xxMNx系列不僅保持了ROHM獨有的PrestoMOS高速trr性能，還大大降低了啟動阻抗和Qg。在搭載變頻器的空調等馬達驅動應用案例中，與使用IGBT的情況相比，輕負載時的功率損耗可減少約56%。這對於近年來的APF（全年能效比）來說取得了非常顯著的改善效果。是一款高速trr使開關損耗降低、啟動阻抗更低使傳導損耗降低、Qg更低使驅動電流降低、而且高速性能更佳的系列新品。

變流器和馬達驅動器電路無需FRD

如前所述，該系列產品的trr比傳統的標準型超接合面MOSFET減少了60%。這得益於內部二極體trr特性的顯著改善。特別是變流器電路和馬達驅動器電路的再生電流帶來的換流損耗取決於trr。普通的MOSFET和IGBT由於內部二極體的trr慢、損耗增加而需要外接2個FRD（快速恢復二極體）。而PrestoMOS由於trr快、損耗更低當然就不需要再外接2個FRD。