採用4引腳封裝
切換損耗比傳統產品低35％

SCT3xxx xR系列是針對伺服器電源、太陽能逆變器和電動車充電站等要求高效率的應用研發而成的溝槽閘極結構SiC MOSFET，採用4引腳封裝。此次共推出6款機型（650V耐壓和1200V耐壓）。

SiC MOSFET：SCT3xxx xR系列的亮點

亮點1：採用溝槽閘極結構，比平面結構更容易實現微細化，因此有望實現更接近SiC本征特性的低導通電阻。

亮點2：採用4引腳封裝：TO-247-4L，可最大限度地發揮SiC MOSFET本身的高速切換性能。與傳統的3引腳封裝TO-247N相比，切換損耗可降低約35％。

亮點3：提供SiC MOSFET評估板，評估板中配備了非常適用於SiC元件驅動的閘極驅動IC、各種電源IC及離散式產品，可輕鬆評估元件。

亮點4：SCT3xxx xR系列SiC MOSFET和評估板均已實現網購，可透過網路平台購買。

4引腳封裝TO-247-4L與傳統的3引腳封裝TO-247N之間的結構差異

下圖是新採用的4引腳封裝TO-247-4L和傳統的3引腳封裝TO-247N之間的結構差異示意圖。

4引腳封裝TO-247-4L可將切換損耗降低約35％

4引腳封裝TO-247-4L可最大限度地發揮出SiC MOSFET的高速切換性能，尤其是可以顯著改善導通損耗。與傳統的3引腳封裝相比，導通損耗和關斷損耗合起來預計可降低約35％的損耗。

MOSFET通常為電壓驅動型，透過開/關閘極引腳的電壓來控制切換工作。圖1為傳統（TO-247N）MOSFET的普通閘極驅動電路範例。

驅動電路中包括電路板的電感和MOSFET源極引腳的電感L_SOURCE，這個參數是非常重要的考量項目。在傳統的切換速度下，汲極－源極間流動的汲極電流I_D的變化會產生電動勢，即產生電流的電位差。

MOSFET被外加V_G並導通，I_D增加，L_SOURCE沿圖中（Ⅰ）的方向產生V_LSOURCE。該電壓包含在導通時的驅動電路網中，如公式（1）所示，使MOSFET的導通動作所需的電壓V_{GS_INT}減少，最終導致導通速度下降。

V_{GS_INT}=V_G-I_G×R_{G_EXT}-L_SOURCE×dI_D⁄dt 　　…公式（1）

關斷時也是同樣的原理，由於公式（1）中的I_G和dI_D⁄dt為負，因此使R_{G_EXT}和L_SOURCE電壓上升（Ⅱ），V_{SG_INT}增加，導致關斷速度下降。

圖2是可消除這種電動勢影響的採用4引腳封裝TO-247-4L的MOSFET的驅動電路範例。驅動器源極引腳透過將V_G訊號的SOURCE側直接連接到晶片來消除該電動勢V_LSOURCE的影響，從而可改善切換速度。

下圖是4引腳封裝TO-247-4L和傳統的3引腳封裝TO-247N的導通切換特性比較（左）、導通/關斷的切換損耗（右）曲線圖。

適用於哪些應用？

近年來，隨著AI和IoT的發展與普及，對雲服務的需求日益增加，與此同時，在全球範圍對資料中心的需求也隨之增長。資料中心所使用的伺服器正在向大容量、高性能方向發展，在這種背景下，如何降低功耗就成為一個亟需解決的課題。因此，損耗更少的SiC元件備受矚目。SCT3xxx xR系列的性能非常適用於伺服器、基地台、太陽能逆變器、蓄電系統、電動車充電站等應用。

此次推出的產品系列

此次推出的SiC MOSFET SCT3xxx xR系列共有6款機型，包括650V耐壓3款機型和1200V耐壓3款機型。如欲進一步瞭解詳情，請點擊產品名稱的連結。

使用評估板快速簡便地進行評估

P02SCT3040KR-EVK-001是SiC MOSFET評估板，配備了非常適用於SiC元件驅動的閘極驅動IC（BM6101FV-C）、各種電源IC及離散式產品，可快速簡便地進行評估。

為了能夠在同一條件下進行評估，該評估板不僅可以評估TO-247-4L封裝的產品，還可安裝並評估TO-247N封裝的產品。另外，使用該評估板，可進行雙脈衝測試、Boost電路、兩電平變流器、同步整流型Buck電路等的評估。P02SCT3040KR-EVK-001在網路平台有售。詳情請參閱官網的專頁。

※電動勢：由電磁感應、熱電效應、光電效應及化學反應等引起的電位差。本文中是指由電磁感應引起的電位差。