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ROHM研發出領先業界的第4代低導通電阻SiC MOSFET

支援xEV/EV主機逆變器和 電池提高電壓

Keyword
  • 1200V 第4世代SiC MOSFET
  • 出色的低導通電阻
  • 主機逆變器系統的小型化和高效化
  • 新一代電動車(xEV)
  • 充電時間縮短
  • 電池電壓提高
  • 導通電阻降低約40%
  • 切換損耗降低約50%
  • 自有的雙溝槽結構
  • 短路耐受時間
  • 寄生電容增加則切換損耗增加
  • 大幅降低閘漏電容(CGD)
  • 切換損耗減少約50%

ROHM研發出“1200V 第4代SiC MOSFET”,非常適用於包括主機逆變器在內的車電動力總成系統和工業裝置的電源。第4代SiC MOSFET實現了業界先進的低導通電阻,針對下一代電動車(xEV)高效且小型輕量化的電動系統、第4代SiC MOSFET起到核心驅動作用的主機逆變器系統的小型化和高效化充電時間隨著電動車(EV)電池容量的增加而縮短、電池電壓提高(800V)等趨勢,該產品被寄予厚望。目前,第4代SiC MOSFET可以以裸晶片的形式提供樣品。

<1200V 第4世代SiC MOSFET的特點>

  • ・進一步改進了ROHM自有的雙溝槽結構,與傳統產品相比,在不犧牲短路耐受時間的前提下,成功地將單位面積的導通電阻降低了約40%
  • ・透過大幅降低寄生電容,使開關損耗比傳統產品降低約50%
  • ・透過上述特點,可減小逆變器和電源等各種功率轉換應用的尺寸並降低功耗。

改進了自有的溝槽結構,實現業界先進的低導通電阻

ROHM於2015年世界上第一家成功地實現了溝槽結構SiC MOSFET的量產,並一直致力於提高SiC功率元件的性能。一直以來,業界存在降低導通電阻會導致短路耐受時間變短(二者之間存在此消彼長的關係)的問題,但此次研發的第四代SiC MOSFET,透過進一步改進自有的雙溝槽結構,與傳統產品相比,無需犧牲短路耐受時間,即可成功地將單位面積的導通電阻降低約40%

大幅降低寄生電容,使切換損耗降低50%

通常,MOSFET的各種寄生電容具有隨著導通電阻的降低和電流的提高而增加的趨勢,隨著寄生電容的增加,切換損耗也會增加,這限制了SiC本來具備的高速切換優勢。此次推出的第4代SiC MOSFET產品,透過大幅降低閘漏電容(CGD,成功地使SiC MOSFET切換損耗比傳統產品降低約50%

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