半導體記憶體|基礎篇

原理裝置<DRAM>

儲存單元構造

由1個電晶體、1個電容器組成

由1個電晶體、1個電容器組成

寫入資料的方式

<為 “1” 時>

  1. 字元線電位為 high
  2. 位元(Bit)線電位為 high
  3. 字元線電位為 low
寫入資料的方式