半導體記憶體｜基礎篇

原理裝置＜SRAM＞

目錄

儲存單元構造

  • 由6個電晶體單元組成
  • 由4個電晶體單元（高阻抗負載型單元）組成
低功耗版和高密度版

寫入資料的方式

＜為”1″時＞

  1. 字元線電位為 high
  2. 傳送Bit線的電位(D=low, D=high) → 它確定正反器的狀態
  3. 字元線電位為 low

讀取資料的方式

＜為”1″時＞

  1. 字元線電位為 off
  2. 預充Bit線(D, D相同電位)
  3. 字元線電位為 high
  4. Bit線的狀態為 low, high
  5. 利用感測放大器增幅
讀取資料的方式

利用正反器電路記憶 “1”、”0″