什麼是GaN功率元件（GaN HEMT）？

什麼是GaN功率元件?
GaN是一種化合物半導體，使用這種GaN的電晶體就是被稱為“GaN HEMT”的功率元件。
與目前主流的半導體材料Si相比，採用GaN這種材料的功率元件具有導通損耗少（低導通電阻）和高速開關性能優異的特點，能夠滿足市場對於提高功率轉換效率和小型化的需求。
什麼是GaN？
GaN（Gallium Nitride：氮化鎵）是由Ga（鎵）元素和N（氮）元素組成的化合物半導體材料。
化合物半導體是一種由兩種或兩種以上的元素結合在一起的半導體。
什麼是GaN HEMT？
GaN HEMT中的“HEMT”是“High Electron Mobility Transistor”的首字母縮寫，意為“高電子移動率電晶體”。
高電子移動率電晶體是使用了電子移動率高的半導體材料的電晶體，可實現高速開關（高頻工作）。
如何用好GaN功率元件
要激發出GaN HEMT高速開關的性能，需要具備能夠充分掌握GaN HEMT的關鍵技術，這一點非常重要。
具體而言，是需要超高速驅動閘極驅動器IC和支援高速脈衝控制的控制器IC。

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