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基本知識
Si功率元件
基本知識
Si功率元件
評估篇
透過雙脈衝測試評估MOSFET的反向恢復特性
什麼是雙脈衝測試？
透過雙脈衝測試評估反向恢復特性
誤啟動的發生機制
總結
Si二極體用的散熱性能出色的小型封裝“PMDE”評估
前言
PMDE封裝的散熱性能（模擬）
基礎篇
前言
前言
Si二極體
所謂二極體－分類與特性
所謂二極體－整流二極體的特徵比較
所謂二極體－蕭特基二極體的特徵
所謂二極體－快速恢復二極體的特徵
Si電晶體
所謂電晶體－分類與特徵
所謂MOSFET－寄生電容及其溫度特性
所謂MOSFET－開關特性及其溫度特性
所謂MOSFET－閾值、ID-VGS特性及溫度特性
超接合面MOSFET
高耐壓超接合面MOSFET的種類與特長
所謂MOSFET－高速trr SJ-MOSFET : PrestoMOS ™
同時具備MOSFET和IGBT優勢的Hybrid MOS
MOSFET規格相關的術語集
MOSFET的熱阻和額定損耗
可背面散熱的封裝
實際工作中的電晶體適用性確認
實際工作中的適用性確認和準備
確認在絕對最大額定值範圍內
確認在SOA（安全工作區）範圍內
確認在實際使用溫度降額後的SOA範圍內
確認平均功耗在額定功率範圍內
確認晶片溫度
總結
發揮其特長的應用事例
什麼是PFC
臨界模式PFC : 利用二極體提高效率的例子
電流連續模式PFC : 利用二極體提高效率的例子
LED照明電路 : 利用MOSFET提升效率並降低雜訊的案例
空調用PFC電路 : 利用MOSFET和二極體提高效率的案例
總結
總結
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