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Si功率元件
基礎篇
評估篇
產品介紹
FAQ
基礎篇
前言
所謂電晶體-分類與特徵
所謂MOSFET-寄生電容及其溫度特性
所謂MOSFET-開關特性及其溫度特性
所謂MOSFET-閾值、ID-VGS特性及溫度特性
超接合面MOSFET
高耐壓超接合面MOSFET的種類與特長
所謂MOSFET-高速trr SJ-MOSFET : PrestoMOS ™
同時具備MOSFET和IGBT優勢的Hybrid MOS
MOSFET規格相關的術語集
MOSFET的熱阻和額定損耗:可背面散熱的封裝
什麼是Si二極體? —前言—
所謂二極體-分類與特性
所謂二極體-整流二極體的特徵比較
所謂二極體-蕭特基二極體的特徵
所謂二極體-快速恢復二極體的特徵
實際工作中的電晶體適用性確認 —前言—
實際工作中的適用性確認和準備
確認在絕對最大額定值範圍內
確認在SOA(安全工作區)範圍內
確認在實際使用溫度降額後的SOA範圍內
確認平均功耗在額定功率範圍內
確認晶片溫度
總結
發揮其特性的應用案例 —前言—
什麼是PFC
臨界模式(BCM)PFC:利用二極體提高效率的案例
電流連續模式(CCM)PFC:利用二極體提高效率的案例
LED照明電路 : 利用MOSFET提升效率並降低雜訊的案例
空調用PFC電路 : 利用MOSFET和二極體提高效率的案例
總結
評估篇
MOSFET的失效機制 -前言-
什麼是SOA(Safety Operation Area)失效
什麼是雪崩崩潰失效
什麼是dV/dt失效
MOSFET的失效機制 —總結—
相移全橋電路的功率轉換效率提升 —前言—
PSFB電路的基本結構
PSFB電路的基本工作
輕載時切換元件工作相關的注意事項
重載時中切換元件工作相關的注意事項
效率的評估
相移全橋電路的功率轉換效率提升 ー總結ー
Si二極體用的散熱性能出色的小型封裝“PMDE”評估 前言
PMDE封裝的外形和內部結構
PMDE封裝的散熱性能(模擬)
PMDE封裝的實機評估
PMDE封裝SBD產品系列
Si二極體用散熱性能出色的小型封裝“PMDE”評估 -總結-
什麼是雙脈衝測試?
透過雙脈衝測試評估反向恢復特性
誤啟動的發生機制
總結
產品介紹
Si蕭特基二極體
Si快速回復二極體
Si MOSFET
FAQ
Si FAQ
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