AC-DC|基礎篇
選擇控制(電源)IC
2016.05.27
重點
・選擇電源IC會對設計造成很大的影響。
・一般而言,以配備具保護功能的IC,較能夠提升設計的效率。
決定規格後,接下來就是選出能滿足該規格的電源IC。如同前述,這裡是在使用電源IC的前提下進行說明。
根據要求事項,決定適合的AC-DC方式為變壓器方式,還是開關方式,降壓或升壓、返馳式或順向傳輸方式等,並且選擇電源IC。也就是說選擇電源IC決定了電源方式。基本上電源IC必須採用特殊方式,利用決定的方式選擇IC。設計出使用電源IC的電路,且該電源IC負擔了許多部分,根據使用的IC決定電路和零件。換言之,即使認為是以IC為中心進行設計亦不為過。

圖 31
電源IC規格不一,具備的功能也不盡相同。在選擇電源IC之際,重點為找出具備電源上必要功能的IC。特別是保護功能,如果在裝上IC後,為了追加功能還得增加更多外接零件和安裝面積,且設計和評估的時間也勢必增加。基於上述理由,只好承認無法利用外接零件來追加功能。若能順利使用電源IC,將有助於提升設計的效率。
我也聽過「大是包含小在內?」等和選擇有關的問題。其實重點在於廣泛準備高耐壓和因應大功率的規格。答案是「可兼顧」,但考量效率、外接零件調整至最佳化,因此並不建議。
最後是各廠商所製作的開關式電源用IC,彼此之間無法兼容。雖然構造非常相似,但插銷位置卻不同。基本上無法和更換線性穩壓器78種系列產品一樣隨意更換,在設計過程中,於規劃好機板線路後才變更零件,代表著重新設計,因此在選擇IC時,必須充分加以討論。
產品介紹
【下載資料】 AC-DC轉換器的基礎及設計步驟
AC-DC
基礎篇
設計篇
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採用AC-DCPWM方式的返馳式轉換器設計方法概要
- 絕緣型返馳式轉換器的基本概念:所謂反馳式轉換器的特徵
- 絕緣型返馳式轉換器的基本概念:返馳式轉換器的運轉和緩衝
- 絕緣型返馳式轉換器的基本概念:所謂不連續模式和連續模式
- 設計步驟
- 決定電源規格
- 選擇設計上所使用的IC
- 所謂隔離型返馳式轉換器
- 絕緣型返馳式轉換器的基本概念:所謂開關AC-DC轉換
- 設計絕緣型返馳式轉換器電路
- 設計絕緣型返馳式轉換器電路:設計變壓器(算出數值)
- 設計絕緣型返馳式轉換器電路:設計變壓器(設計構造)-之1
- 設計絕緣型返馳式轉換器電路:設計變壓器(設計構造)-之2
- 設計絕緣型返馳式轉換器電路:決定主要零件-MOSFET相關之1
- 設計絕緣型返馳式轉換器電路:決定主要零件-MOSFET相關之2
- 設計絕緣型返馳式轉換器電路:決定主要零件-CIN和緩衝電路
- 設計絕緣型返馳式轉換器電路:決定主要零件−輸出整流器和Cout
- 設計絕緣型返馳式轉換器電路:決定主要零件−IC的VCC相關
- 設計絕緣型返馳式轉換器電路:決定主要零件−設定IC、其他
- 設計絕緣型返馳式轉換器電路:EMI對策和輸出雜訊對策
- 機板配線範例
- 彙整
- AC-DC 非隔離型降壓轉換器的設計案例概要
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使用SiC-MOSFET的隔離型準諧振轉換器的設計案例 前言
- 設計中使用的電源IC:專為SiC-MOSFET最佳化
- 設計案例電路
- 變壓器T1的設計 其2
- 變壓器T1的設計 其1
- 主要零件的選型:MOSFET Q1
- 主要零件的選型:輸入電容和平衡電阻
- 主要零件的選型:用來設定過負載保護點切換的電阻
- 主要零件的選型:電源IC的VCC相關零件
- 主要零件的選型:電源IC的BO(Brown-out)引腳相關零件
- 主要零件的選型:緩衝電路相關零件
- 主要零件的選型:輸出整流二極體
- 主要零件的選型:輸出電容、輸出設定及控制零件
- 主要零件的選型:MOSFET閘極驅動調整電路
- 主要零件的選型:電流檢測電阻及各種檢測用引腳相關零件
- 主要零件的選型:EMI及輸出雜訊對策零件
- PCB板佈局範例
- 案例中的電路和零件清單
- 評估結果:效率和切換波形
- 小結
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提高AC/DC轉換器效率的二次側同步整流電路設計 前言
- 設計步驟
- 用於設計的IC
- 電源規格和替代電路
- 同步整流電路部分:同步整流用MOSFET的選型
- 同步整流電路部分:電源IC的選擇
- 同步整流電路部分:週邊電路零件的選擇-DRAIN引腳的D1、R1、R2
- 同步整流電路部分:週邊電路零件的選型-MAX_TON引腳的C1、R3以及VCC引腳
- 分流穩壓器電路部分:週邊電路零件的選擇
- 故障排除(Trouble Shooting)①:當二次側MOSFET立即關斷時
- 故障排除(Trouble Shooting) ②:當二次側MOSFET在輕載時因諧振動作而導通時
- 安裝PCB板佈局相關的注意事項
- 總結
- 二極體整流和同步整流的效率比較
- 故障排除(Trouble Shooting) ③:當VDS2受突波影響超過二次側MOSFET的VDS耐壓時
評估篇
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