AC-DC｜設計篇

主要零件的選型：MOSFET Q1

2019.10.09

重點

・MOSFET Q1使用本設計主題之一的“SiC-MOSFET”。

・MOSFET的選型需要考慮最大Vds、峰值電流、導通電阻的損耗、封裝的最大額定損耗等。

・以Ippk×2左右作為ID額定值的大致選擇標準。

・Vds透過公式來計算。

變壓器設計篇已經結束，接下來將圍繞電源ICBD7682FJ-LB的週邊元件進入零件選型部分。本文將摘錄並使用所要介紹的零件的週邊電路，需要確認整體電路時請點擊這裡。

主要零件的選型：MOSFET Q1

MOSFET Q1是用來驅動變壓器一次側的電晶體，是本設計主題之一的“SiC-MOSFET”。

MOSFET的選型需要考慮最大漏極－源極間電壓、峰值電流、導通電阻Ron的損耗、封裝的最大額定損耗等。

低輸入電壓時，MOSFET的導通時間變長，Ron損耗帶來的發熱量增加。SiC-MOSFET的特點是Ron低，其傳導損耗也小，但請務必在組裝在實際PCB板和產品中的狀態下進行確認，並在必要時利用散熱器等來解決散熱問題。

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ID的額定值以Ippk×2左右作為大致的選擇標準。Ippk在變壓器設計的②中已經求出為0.66A。

Vds透過下列公式計算。

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Vspike則很難透過算式計算出來。所以，根據經驗，在添加緩衝電路的前提下，選擇Vds為1700V的MOSFET。在這個設計案例中，選擇ROHM生產的SiC-MOSFET “SCT2H12NY（1700V、1.15Ω、4A、44W）”或“SCT2H12NZ（1700V、1.15Ω、3.7A、35W）”。

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下面以SCT2H12NY為例列出其最大額定值。關於其他參數和其他詳細資訊，請參考相應的技術規格書。

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