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認識元件
電晶體/二極體
電晶體/二極體
電晶體
二極體
半導體基礎
電晶體
前言
什麼是雙脈衝測試?
透過雙脈衝測試評估反向恢復特性
誤啟動的發生機制
總結
相移全橋電路的功率轉換效率提升 —前言—
PSFB電路的基本結構
PSFB電路的基本工作
輕載時切換元件工作相關的注意事項
重載時中切換元件工作相關的注意事項
效率的評估
相移全橋電路的功率轉換效率提升 ー總結ー
MOSFET的失效機制 -前言-
什麼是SOA(Safety Operation Area)失效
什麼是dV/dt失效
什麼是雪崩崩潰失效
MOSFET的失效機制 —總結—
所謂電晶體-分類與特徵
所謂MOSFET-寄生電容及其溫度特性
所謂MOSFET-開關特性及其溫度特性
所謂MOSFET-閾值、ID-VGS特性及溫度特性
超接合面MOSFET
高耐壓超接合面MOSFET的種類與特長
所謂MOSFET-高速trr SJ-MOSFET : PrestoMOS ™
MOSFET規格相關的術語集
MOSFET的熱阻和額定損耗:可背面散熱的封裝
逆變電路中切換元件反向恢復特性的重要性 -前言-
逆變電路的種類和通電方式
三相調製逆變電路的基本工作
透過雙脈衝測試比較PrestoMOS™與一般SJ MOSFET的損耗(實際測試結果)
透過三相逆變電路比較PrestoMOS™與一般SJ MOSFET的效率(模擬)
逆變電路中開關元件反向恢復特性的重要性 -總結-
LLC轉換器中一次側開關元件反向恢復特性的重要性
LLC轉換器的基本結構
LLC轉換器的工作特點
LLC轉換器的基本工作
MOSFET的反向恢復特性對於LLC轉換器諧振偏移的重要性
LLC轉換器中一次側開關元件反向恢復特性的重要性 -總結-
實際工作中的電晶體適用性確認 —前言—
實際工作中的適用性確認和準備
確認在絕對最大額定值範圍內
確認在SOA(安全工作區)範圍內
確認平均功耗在額定功率範圍內
確認在實際使用溫度降額後的SOA範圍內
確認晶片溫度
總結
總結
額外的基礎知識
電晶體的功能
外觀特徵
電晶體是什麼?
數位電晶體的原理
導通電阻
總閘極電荷(Qg)
安全使用挑選方法
元件溫度計算方式
負載開關
二極體
Si二極體用的散熱性能出色的小型封裝“PMDE”評估 前言
PMDE封裝的外形和內部結構
PMDE封裝的散熱性能(模擬)
PMDE封裝的實機評估
PMDE封裝SBD產品系列
Si二極體用散熱性能出色的小型封裝“PMDE”評估 -總結-
什麼是Si二極體? —前言—
所謂二極體-分類與特性
所謂二極體-整流二極體的特徵比較
所謂二極體-蕭特基二極體的特徵
所謂二極體-快速恢復二極體的特徵
額外的基礎知識
歷史與原理
概要
整流二極體
開關二極體
蕭特基二極體
TVS二極體
定電壓(齊納)二極體
高頻二極體
半導體基礎
Si FAQ
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