電晶體｜基礎篇

額外的基礎知識

  • 電晶體的功能
    電晶體具有放大和開關電氣訊號的功能。
  • 外觀特徵
    電晶體按結構、容許功率、集約程度和形狀的分類進行介紹。例如，從工作結構來看，大致可以分為雙極型和FET兩種類型。
  • 電晶體是什麼？
    介紹反向電流、容許損耗和增益頻寬等概念。增益頻寬是指電晶體能夠工作的極限頻率。
  • 數位電晶體的原理
    數位電晶體的GI和電晶體的hFE都表示射極接地直流電流放大係數。數位電晶體是在普通電晶體上連接2個電阻的一種電晶體。
  • 導通電阻
    使MOSFET工作時汲極和源極間的阻值稱為“導通電阻”。導通電阻值越小，工作時的功率損耗越少。
  • 總閘極電荷（Qg）
    總閘極電荷（Qg）是指為導通MOSFET而需要注入到閘極電極的電荷量。該值越小，開關損耗越少，從而可以實現高速開關。
  • 安全使用挑選方法
    介紹根據施加到元件的電壓和電流波形計算平均功率的方法。
  • 元件溫度計算方式
    結溫可根據環境溫度和功耗進行計算。即使施加相同的功率，當環境溫度上升時，結溫也會隨之上升，因此能夠施加的功率會變小。
  • 負載開關
    負載開關導通的瞬間，可能會暫時流過比穩態電流大得多的電流。這種流過大電流的現象稱作“浪湧電流”。
  • 常見問題

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