電晶體|評估篇
逆變電路中開關元件反向恢復特性的重要性 逆變電路中開關元件反向恢復特性的重要性 -總結-
2025.05.26
逆變電路中開關元件反向恢復特性的重要性 -總結-
在三相調變逆變電路中,MOSFET的開關次數很多,因此在開關損耗占主導地位的輕載時,效率會變差。特別是受MOSFET導通時的反向恢復損耗的影響較大,因此降低該損耗非常重要。
根據PrestoMOS™的雙脈衝測試結果,可以確認無論是在輕載(2A)還是重載(10A)條件下,PrestoMOS™都有降低導通時損耗的效果。因此可以說,PrestoMOS™可以有效提高逆變電路的效率。
以下是迄今為止發佈的相關文章連結和關鍵要點匯總。
本文的關鍵要點
・逆變電路是功率轉換電路之一,是將直流(DC)轉換為交流(AC)的電路。
・在馬達驅動應用中經常會用到逆變電路。
・在逆變電路工作時,內建二極體的反向恢復特性對損耗的影響很大
本文的關鍵要點
・逆變電路主要分為單相逆變電路和三相逆變電路兩類。
・馬達驅動採用可使轉矩穩定、且可抑制振動和雜訊的三相逆變器。
・用三相逆變器驅動馬達時的激勵方式有方波驅動(120°激勵)和正弦波驅動(三相調變、二相調變),不同的方式各有優缺點。
・在本系列文章中,將以馬達驅動中常用的正弦波驅動(三相調變)方式為例進行講解。
本文的關鍵要點
・在逆變電路工作時,會產生Body Diode的反向恢復電流。
・反向恢復時間和反向恢復電流過大會導致損耗增加,這對於逆變電路而言是一個不利因素。
・透過使用反向恢復時間和反向恢復電流峰值小的MOSFET,可以減少逆變電路中的損耗,降低MOSFET損壞的風險。
▶透過雙脈衝測試比較PrestoMOS™與一般SJ MOSFET的損耗(實際測試結果)
本文的關鍵要點
・透過雙脈衝測試可以評估逆變電路中的反向恢復損耗。
・透過對PrestoMOS™和一般SJ MOSFET進行比較,可以確認反向恢復特性出色的PrestoMOS™開關損耗更小。
・這顯示了PrestoMOS™在降低逆變器電路損耗方面的優勢。
▶透過三相逆變電路比較PrestoMOS™與一般SJ MOSFET的效率(模擬)
本文的關鍵要點
・透過模擬確認了三相調變逆變電路的電路效率和1個MOSFET的損耗。
・透過在三相調變逆變電路中對PrestoMOS™和一般SJ MOSFET進行比較,證實使用反向恢復特性出色的PrestoMOS™的情況下效率更高(損耗更低)。
・在三相調變逆變電路中,反向恢復特性出色的PrestoMOS™在效率方面優勢顯著。
參考文獻:“使用雙脈衝測試實證PrestoMOS™元件的特性優勢”,應用指南(No.60AN117E),ROHM Co., Ltd.
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