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Key Words : IGBT

Si功率元件

2021.12.22

重載時中切換元件工作相關的注意事項

在重載時,如果MOSFET的本體二極體的反向恢復時間trr較長,且有電流殘留,則在超前臂的MOSFET關斷時,寄生雙載子電晶體可能會誤導通,從而損壞MOSFET。這種問題發生在關斷時,產生對Drain...

Si功率元件

2021.11.24

輕載時切換元件工作相關的注意事項

相移全橋電路中輕載時流過的電流小,LS中積蓄的能量少,所以很有可能在延遲臂的COSS充放電完成之前就開始切換工作。因此,ZVS工作無法執行,很容易發生MOSFET的導通損耗。 另一方面,當超前臂的MO...

Si功率元件

2021.11.24

PSFB電路的基本工作

PSFB電路中的ZVS工作成立條件是:當組成切換的MOSFET的輸出電容COSS放電且正向電流流過Body Diode時,使該MOSFET導通。 圖中顯示了PSFB電路中Q1~Q4的汲極電流波形和流經...

Si功率元件

2021.06.09

突波抑制電路

在上一篇文章中,簡單介紹了SiC功率元件中閘極-源極電壓中產生的突波。從本文開始,將介紹針對所產生的SiC功率元件中突波的對策。本文先介紹突波抑制電路。 關於SiC功率元件中閘極-源極間電壓產生的突波...

Si功率元件

2021.05.26

什麼是閘極-源極電壓產生的突波?

MOSFET和IGBT等功率半導體作為開關元件已被廣泛應用於各種電源應用和功率線路中。其中,SiC MOSFET在近年來的應用速度與日俱增,它的工作速度非常快,以至於切換時的電壓和電流的變化已經無法忽...

Si功率元件

2021.05.26

PSFB電路的基本結構

前言 作為Si功率元件評估篇的第2波,將開始一系列有關Si功率元件透過PSFB電路進行“相移全橋電路的功率轉換效率提升”的文章。 近年來,對於伺服器和車電充電器等的電源,要求其能夠處理更大功率的需求增...

Si功率元件

2021.04.21

總結

到目前為止,已經以“SiC MOSFET:橋式結構中Gate-Source間電壓的動作”為題,用了六個篇幅介紹了以大電流執行高速切換的橋式結構中可能出現的閘極電壓的動作。 在橋式結構中MOSFET的閘...

Si功率元件

2021.03.24

低側切換關斷時的Gate-Source間電壓的動作

上一篇文章中介紹了LS切換導通時Gate-Source間電壓的動作。本文將繼續介紹LS關斷時的動作情況。 低側切換關斷時的Gate-Source間電壓的動作 下面是表示LS MOSFET關斷時的電流動...

Si功率元件

2021.02.10

低側切換導通時的Gate-Source間電壓的動作

上一篇文章中,簡單介紹了SiC MOSFET橋式結構中閘極驅動電路的切換工作帶來的VDS和ID的變化所產生的電流和電壓情況。本文將詳細介紹SiC MOSFET在LS導通時的動作情況。 SiC MOSF...

Si功率元件

2020.11.25

橋式電路切換產生的電流和電壓

在上一篇文章中,對SiC MOSFET橋式結構的閘極驅動電路的導通(Turn-on)/關斷(Turn-off)動作進行了解說。本文將介紹在SiC MOSFET這一系列切換動作中,SiC MOSFET的...