SiC功率元件|應用篇
電路板佈線佈局相關的注意事項
2023.05.24
重點
・由於具有驅動器源極引腳的TO-247-4L封裝和不具有驅動器源極引腳的TO-247N封裝的引腳分配不同,因此在圖案佈局時需要注意。
・TO-247-4L在與閘極驅動器連接時,由於引腳分配的原因,佈線一定會交叉,無法將它們配置在同一個面上,因此OUT訊號和GND2訊號會形成2個環路,根據環路面積及其比例會產生突波。
・作為對策,需要盡可能地減小環路面積,並使環路(1)和環路(2)的面積相等。另外,還需要考慮增加一個基本的突波抑制電路乃至緩衝電路。
在本文中,我們將探討具有驅動器源極引腳的TO-247-4L封裝產品的電路板佈局佈線相關的注意事項。由於TO-247-4L的引腳分配與傳統封裝不同,因此需要注意佈局佈線。
具有驅動器源極引腳的TO-247-4L的電路板佈局佈線注意事項
如“有驅動器源極引腳的封裝”一文中所述,具有驅動器源極引腳的TO-247-4L的引腳分配不同於傳統的TO-247N。在這裡再次給出傳統TO-247N、有驅動器源極引腳的TO-247-4L以及TO-263-7L的引腳分配圖。

TO-247-4L的閘極引腳在面對印標面的最右側,而傳統的TO-247N封裝的閘極引腳則位於最左側。MOSFET通常由驅動IC驅動,但大多數驅動IC的引腳分配都是適合傳統TO-247N封裝的分配形式。下面是使用ROHM驅動IC BM61S40RFV-C時的MOSFET接線圖範例。

在TO-247N的情況下,MOSFET的驅動訊號OUT和Return訊號GND2與閘極引腳和源極引腳的排列順序相同,因此可以在同一個面上並行走線。
而TO-247-4L封裝則是閘極引腳和驅動器源極引腳的排列與驅動IC的引腳排列相反,如圖所示,佈線一定會交叉,無法配置在同一個面。因此,如圖所示,OUT訊號和GND2訊號形成了兩個環路,需要注意環路區域(1)和(2)的面積比。
通常,TO-247-4L封裝的MOSFET被用於dID/dt值較大的環境。當其電流變化引起的磁通量變化(dΦ/dt)與該環路面積正交時,就會產生與驅動電路的環路面積成正比的電動勢。並且,在MOSFET的閘極和源極之間的某些環路面積比例下,電壓值有時會達到可能引發正突波和負突波等問題的程度。因此,需要使OUT訊號和GND2訊號形成的環路面積盡可能小,並要使環路(1)和環路(2)的面積相等。
TO-263-7L封裝的引腳分配與TO-247N相同,因此不能形成TO-247-4L那樣的兩個環路,所以可以採用與傳統相同的方法進行佈線。不過,由於ROHM的驅動IC在驅動訊號OUT引腳的兩側(引腳1 和引腳5)配有GND2引腳,因此即便是TO-247-4L封裝,也可以使用與傳統封裝一樣的方法進行佈線。
另外,在之前的一些文章中曾經建議過增加VGS突波抑制電路,但是即便如此,受VDS關斷時的振鈴影響,VGS突波仍然可能超過VGS額定值。在這種情況下,可以透過降低來自HVdc的佈線電阻或對各MOSFET增加緩衝電路等抗突波對策,來將VGS突波抑制在額定範圍內。關於如何設計緩衝電路,請參考應用指南“緩衝電路的設計方法”。
【下載資料】 SiC功率元件基礎
SiC功率元件
基礎篇
應用篇
- SiC MOSFET:橋式結構中Gate-Source電壓的動作 前言
- SiC MOSFET:根據開關波形計算損耗的方法
- SiC MOSFET:Snubber電路的設計方法 —前言—
- SiC MOSFET:閘極-源極電壓的突波抑制方法 —前言—
- 透過驅動器源極引腳改善開關損耗 —前言—
- 測量SiC MOSFET閘-源電壓時的注意事項:一般測量方法
- 在EV應用中使用第4代SiC MOSFET的效果
- 使用最新世代SiC MOSFET降低損耗實證
產品介紹
FAQ