SiC功率元件｜應用篇
SiC MOSFET：緩衝(Snubber)電路的設計方法 放電型RCD緩衝電路的設計
2025.05.22
重點
・放電型RCD緩衝電路的設計與RC緩衝電路的設計基本相同。
・但是，由於突波被二極體吸收，因此無需使用“RC緩衝電路的設計”一文中所示的公式(5)來確認諧振頻率。
・需要選擇反向恢復電流小的二極體。
本文將介紹第三種緩衝電路“放電型RCD緩衝電路”的設計。
- • 汲極和源極之間產生的突波
- • 緩衝電路的種類和選擇
- • C緩衝電路的設計
- • RC緩衝電路的設計
- • 放電型RCD緩衝電路的設計
- • 非放電型RCD緩衝電路的設計
- • 封裝引起的突波差異
SiC MOSFET：放電型RCD緩衝電路的設計
放電型RCD緩衝電路的設計與上一篇文章中的RC緩衝電路的設計基本相同，但由於突波被二極體吸收，因此無需使用“RC緩衝電路的設計”一文中所示的公式(5)來確認諧振頻率。
但是，如果所使用的二極體的反向恢復電流較大，則在高頻工作時二極體的損耗也會比較大，因此要想減少緩衝電路的損耗，就需要選擇反向恢復電流盡可能小的二極體。
另外，由於吸收突波時的電流變化較大，所以還需要考慮儘量減小緩衝電路中的佈線電感。
“C緩衝電路的設計”相關的文章一覽
- • SiC MOSFET：緩衝電路的設計方法 —前言—
- • 汲極和源極之間產生的突波
- • 緩衝電路的種類和選擇
- • RC緩衝電路的設計
- • 放電型RCD緩衝電路的設計
- • 非放電型RCD緩衝電路的設計
- • 封裝引起的突波差異
- • SiC MOSFET：緩衝電路設計方法 —總結—
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介紹SiC的物理性質和優點，並透過與Si元件的比較，介紹SiC蕭特基二極體和SiC MOSFET的特點及使用方法上的不同，還介紹了集多重優點於一身的全SiC模組。
SiC功率元件
基礎篇
應用篇
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