SiC功率元件｜產品介紹
SiC 功率模組
2022.01.01
SiC是比Si半導體還要小、低耗電力化、高效率化的功率元件。降低切換損耗，且在高溫環境下運轉特性優良，可說是次世代的低損耗元件。SiC功率模組相對於IGBT模組，能大幅度降低損耗。切換損耗少，特別有利於使用在高切換頻率的環境中。
產品介紹
- https://www.rohm.com.tw/products/sic-power-devices/sic-power-module
【下載資料】 SiC功率元件基礎
介紹SiC的物理性質和優點，並透過與Si元件的比較，介紹SiC蕭特基二極體和SiC MOSFET的特點及使用方法上的不同，還介紹了集多重優點於一身的全SiC模組。
SiC功率元件
基礎篇
應用篇
- SiC MOSFET：橋式結構中Gate-Source電壓的動作 前言
- SiC MOSFET：根據開關波形計算損耗的方法
- SiC MOSFET：Snubber電路的設計方法 —前言—
- SiC MOSFET：閘極-源極電壓的突波抑制方法 —前言—
- 透過驅動器源極引腳改善開關損耗 —前言—
- 測量SiC MOSFET閘-源電壓時的注意事項：一般測量方法
- 在EV應用中使用第4代SiC MOSFET的效果
- 使用最新世代SiC MOSFET降低損耗實證
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