SiC功率元件｜應用篇
透過驅動器源極引腳改善開關損耗 —前言—
2022.01.21
MOSFET和IGBT等功率開關元件被廣泛應用於各種功率轉換應用中。需要盡可能地降低這種開關元件所產生的開關損耗和傳導損耗，但不同的應用其降低損耗的方法也不盡相同。
近年來，出現了一種可以改善損耗的方法，那就是帶有驅動器源極引腳（所謂的開爾文源極引腳）的新封裝。在“透過驅動器源極引腳改善開關損耗”系列文章中，將為您介紹功率開關產品封裝具有驅動器源極引腳的效果以及使用注意事項。
【下載資料】 SiC功率元件基礎
介紹SiC的物理性質和優點，並透過與Si元件的比較，介紹SiC蕭特基二極體和SiC MOSFET的特點及使用方法上的不同，還介紹了集多重優點於一身的全SiC模組。
SiC功率元件
基礎篇
應用篇
- SiC MOSFET：橋式結構中Gate-Source電壓的動作 前言
- SiC MOSFET：根據開關波形計算損耗的方法
- SiC MOSFET：Snubber電路的設計方法 —前言—
- SiC MOSFET：閘極-源極電壓的突波抑制方法 —前言—
- 透過驅動器源極引腳改善開關損耗 —前言—
- 測量SiC MOSFET閘-源電壓時的注意事項：一般測量方法
- 在EV應用中使用第4代SiC MOSFET的效果
- 使用最新世代SiC MOSFET降低損耗實證
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