SiC功率元件｜基礎篇
何謂SiC-MOSFET－溝槽結構SiC-MOSFET與實際產品
2018.06.07
重點
・ROHM已實現採用獨有雙溝槽結構的SiC-MOSFET的量產。
・溝槽結構的SiC-MOSFET與DMOS結構的產品相比，導通電阻降低約50%，輸入電容降低約35%。
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應的SiC-MOSFET的相對資訊。
獨有的雙溝槽結構SiC-MOSFET
在SiC-MOSFET不斷發展的進程中，ROHM於世界首家實現了溝槽閘極結構SiC-MOSFET的量產。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
溝槽結構在Si-MOSFET中已被廣為採用，在SiC-MOSFET中由於溝槽結構有利於降低導通電阻也備受關注。
然而，普通的單溝槽結構由於閘極溝槽底部電場集中而存在長期可靠性相對的課題。針對這類課題，ROHM研發的雙溝槽結構通過在源極部分也設定溝槽結構，緩和了閘極溝槽底部的電場集中問題，確保了長期可靠性，從而成功投入量產。
這款採用雙溝槽結構的SiC-MOSFET，與正在量產中的第2代平面型（DMOS結構）SiC-MOSFET相比，導通電阻降低約50%，輸入電容降低約35%。
實際的SiC-MOSFET產品
下面是可供應的SiC-MOSFET一覽表。有SCT系列和SCH系列，SCH系列內建SiC蕭特基二極體，包括本體二極體的反向恢復特性在內，特性得到大幅提升。
一覽表中的SCT3xxx型號即第三代溝槽結構SiC-MOSFET。
【下載資料】 SiC功率元件基礎
介紹SiC的物理性質和優點，並透過與Si元件的比較，介紹SiC蕭特基二極體和SiC MOSFET的特點及使用方法上的不同，還介紹了集多重優點於一身的全SiC模組。
SiC功率元件
基礎篇
應用篇
- SiC MOSFET：橋式結構中Gate-Source電壓的動作 前言
- SiC MOSFET：根據開關波形計算損耗的方法
- SiC MOSFET：Snubber電路的設計方法 —前言—
- SiC MOSFET：閘極-源極電壓的突波抑制方法 —前言—
- 透過驅動器源極引腳改善開關損耗 —前言—
- 測量SiC MOSFET閘-源電壓時的注意事項：一般測量方法
- 在EV應用中使用第4代SiC MOSFET的效果
- 使用最新世代SiC MOSFET降低損耗實證
產品介紹
FAQ