SiC功率元件｜應用篇
SiC MOSFET：Snubber電路的設計方法 —前言—
2023.11.22
重點
・近年來，SiC MOSFET因其能夠高速開關工作而被廣泛用於各種功率轉換應用。
・但是，高速工作會在汲極和源極之間產生較大突波，需要採取措施抑制這種突波。
・Snubber電路是抑制突波的方法之一。
SiC MOSFET：Snubber電路的設計方法 —前言—
近年來，SiC MOSFET作為一種開關元件，被廣泛用於各種電源應用和電源線路中。之所以得以快速普及，原因之一是與傳統功率半導體相比，它支援高速開關工作。然而，由於開關時電壓和電流急遽變化，元件本身的封裝電感和週邊電路的佈線電感的影響已經不容忽視，最終導致汲極和源極之間會產生較大的突波。需要確保這種突波不超過所用SiC MOSFET的最大額定值，有多種抑制突波的方法可以達到這個目的，其中之一便是添加Snubber電路。
在本系列文章中，我們將為您介紹如何設計Snubber電路。
- ・汲極和源極之間產生的突波
- ・Snubber電路的種類和選擇
- ・C Snubber電路的設計
- ・RC Snubber電路的設計
- ・放電型RCD Snubber電路的設計
- ・非放電型RCD Snubber電路的設計
- ・封裝引起的突波差異
【下載資料】 SiC功率元件基礎
介紹SiC的物理性質和優點，並透過與Si元件的比較，介紹SiC蕭特基二極體和SiC MOSFET的特點及使用方法上的不同，還介紹了集多重優點於一身的全SiC模組。
SiC功率元件
基礎篇
應用篇
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