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PTC加熱器的熱模擬
2025.11.26
使用者僅需註冊並登錄MyROHM帳號,即可使用ROHM Solution Simulator這一免費線上模擬工具,並提供豐富的Solution Circuit(電路解決方案)。為了便於使用者進行熱模擬,提供包括PTC(Positive Temperature Coefficient)加熱器、線性穩壓器等各種熱模擬用的電路。
在“PTC加熱器的熱模擬”一文中,將為大家介紹PTC加熱器熱模擬中的模擬電路圖及模擬實施方法。
本文將為大家介紹PTC加熱器熱模擬中的模擬電路圖及模擬實施方法。另外本文的資料來源—《PTC加熱器熱模擬使用者指南》可從下方連結下載:
https://fscdn.rohm.com/en/products/databook/applinote/common/ptc_heater_thermal_simulation_ug-e.pdf
PTC加熱器的熱模擬電路與模擬方法
本節將介紹PTC加熱器熱模擬中所使用的模擬電路圖及模擬實施方法。
PTC(Positive Temperature Coefficient)加熱器是一種利用溫度升高時電阻也隨之增大的正溫度係數特性(PTC特性)的自我控制型加熱設備。由於其溫度會隨時間推移而趨於穩定,因此可以說是一種低功耗型加熱器。下面將介紹可同步執行PTC加熱器電氣模擬與內建元件溫度模擬的模擬電路及環境,並介紹其使用方法。透過調整元件參數,可在多種條件下執行模擬。
PTC加熱器的熱模擬電路圖示例
下方是PTC加熱器的熱模擬電路圖。黑色和藍色線路表示電氣模擬電路,紅色線路表示熱模擬電路。該電路採用的是三個開關元件IGBT(絕緣閘雙極型電晶體)並聯的結構。各IGBT均連接有負載電阻(加熱器),可獨立驅動。負載電流透過3個IGBT的ON/OFF只能進行3檔調節,並未設計採用開關方式進行微調的功能。另外該電路還配備了保護電路,透過分流電阻檢測3個負載的總電流並進行過電流保護。該熱模擬電路透過將電氣模擬計算出的元件損耗與普通PTC加熱器(包含水冷環境)轉化為熱模擬模型(ROM*1),進而計算出IGBT和分流電阻的溫度。
*1 ROM(Reduced Order Model):採用可將3D-CAE構建的模型降維至1D的降維技術所創建的模型
模擬電路
圖中右側的四段曲線圖,分別表示3個IGBT和分流電阻的接面溫度(Junction Temperature,Tj)。啟動後,3個IGBT的接面溫度隨時間逐漸上升,約在4,334秒後趨於穩定,保持在125℃左右。中間的曲線圖表示流經分流電阻RSHUNT的電流值(3個負載的總電流),左側曲線圖表示過電流保護電路的輸出電壓。中間和左側的曲線圖,約在2,000秒後趨於穩定。
PTC加熱器的熱模擬方法
Simulation Settings(模擬設置)與執行
執行熱模擬時,僅需點擊上圖中綠色的Run(運行)按鈕▶即可開始。點擊齒輪圖示即可設置模擬條件。初始狀態下,系統已預設條件並顯示模擬結果。修改模擬條件後執行熱模擬,溫度曲線圖等將隨之更新。
模擬與參數設置、過電流保護、熱模擬模型
本節將介紹PTC加熱器熱模擬相關的模擬設置、參數設置、過電流保護以及熱模擬模型。
PTC加熱器的熱模擬:模擬設置
組件的參數定義
模擬時間和收斂選項等模擬設置可以透過上述面的“Simulation Settings(模擬設置)”進行設置,表中列出了模擬的初始設置。如果遇到模擬收斂問題,可以透過更改具體選項來解決。在“Manual Options(手動選項)”中已經定義電路的模擬溫度和各種參數。
Simulation Settings的初始值
| 參數 | 初始值 | 備註 |
|---|---|---|
| Simulation Type | Time-Domain | 請勿更改模擬類型 |
| End time | 5000 secs | |
| Advanced Options | More Speed | |
| Manual Options | .TEMP 100 | 請將電路模擬溫度設定在IGBT的收斂溫度水準 |
| .PARAM ・・・ | 具體請參閱下表 |
PTC加熱器的熱模擬:參數設置
上圖中藍色標注的元件需要設置模擬條件,因此我們採用手動選項來定義參數。下表中列出了參數的初始值。如下圖所示,這些數值需填寫在模擬設置的“Manual Options”的文字方塊內。
參數的初始值
| 參數 | 變數名 | 初始值 | 單位 | 說明 |
|---|---|---|---|---|
| VIN | V_VIN | 400 | V | |
| ILOAD1 | I_LOAD1 | 10 | A | |
| ILOAD2 | I_LOAD2 | 10 | A | |
| ILOAD3 | I_LOAD3 | 10 | A | |
| VGdelay1 | VG_delay1 | 0 | sec | IGBT1導通的時間點 |
| VGdelay2 | VG_delay2 | 1000 | sec | IGBT2導通的時間點 |
| VGdelay3 | VG_delay3 | 2000 | sec | IGBT3導通的時間點 |
模擬條件的參數定義
PTC加熱器的熱模擬:過電流保護
下圖為過電流保護電路。負載電流透過採用分流電阻和運算放大器的低邊檢測電路進行檢測。流經負載的總電流會因分流電阻而產生ΔVSHUNT的電壓。運算放大器將該電壓進行差分放大,當超過”Voltage to Digital”階段的閾值時,下一級開關即會導通並啟動保護功能。當忽略運算放大器的輸入失調電壓時,運算放大器的輸出VO可透過下面的公式表示:
\(V_O = I_{LOAD} \times R_{SHUNT} \times \displaystyle \frac{R2}{R1} \quad [V]\ 1\)
預設電路參數為ILOAD =30A、RSHUNT =1mΩ、R1=2kΩ、R2=120kΩ,因此將輸出VO=1.8V。”Voltage to Digital”的閾值已設定為2V(過電流≒33.3A),因此保護功能不會啟動。
過電流保護電路
PTC加熱器的熱模擬:熱模擬模型
下圖中的“PTC-heater”符號表示PTC加熱器的熱模擬模型(ROM*1)。另外PTC加熱器熱模擬模型的引腳說明見下表。
*1 ROM(Reduced Order Model):採用可將3D-CAE構建的模型降維至1D的降維技術所創建的模型
熱模擬模型
熱模擬模型的引腳說明
| 引腳名 | 說明 |
|---|---|
| S_S_IGBT_1 | 輸入IGBT1的損耗,監測TJ |
| S_S_IGBT_2 | 輸入IGBT2的損耗,監測TJ |
| S_S_IGBT_3 | 輸入IGBT3的損耗,監測TJ |
| S_S_Res | 輸入RSHUNT的損耗,監測TJ |
| F_Heater | 加熱器溫度 |
| F_Water_Near_Side | 冷卻水溫度(入口) |
| F_Water_Far_Side | 冷卻水溫度(出口) |
| F_20CAmbient | 環境溫度 |
| S_M_IGBT1_mold | 監測IGBT1的封裝溫度(以高阻抗接收) |
| S_M_IGBT2_mold | 監測IGBT2的封裝溫度(以高阻抗接收) |
| S_M_IGBT3_mold | 監測IGBT3的封裝溫度(以高阻抗接收) |
| S_M_R_lead | 監測RSHUNT的引線溫度(以高阻抗接收) |
- ・ S_S_xxxx引腳可透過輸入元件損耗值來監測元件溫度。
- ・ F_xxxx引腳連接”tc_amb”,並設置為該位置的溫度值。
- ・ S_M_xxxx引腳可用於監測IGBT的封裝溫度和分流電阻的引線溫度。
PTC加熱器的熱模擬:元件和物料清單
本節將介紹PTC加熱器熱模擬中的元件與物料清單以及相關檔。
下圖列出了PTC加熱器熱模擬中使用的主要元件名稱。各組件的初始值請參照下表。部分元件支援從預先配備的元件清單中選擇所需產品。後面一個表格中列出了可更換的元件及其產品名稱清單。更改元件名稱的步驟如後一個圖所示,在元件上按右鍵,選擇”Properties”選項,然後從“Property Editor”的“Spicelib Part”中選擇要使用的產品名稱。

主要元件名稱、元件初始值
| 組件名稱 | 功能 | 初始值 | 備註 |
|---|---|---|---|
| Q1、Q2、Q3 | IGBT | RGS00TS65D | TO247封裝 可更改 |
| RSHUNT | Resistor | 1mΩ | PSR100系列 常數可選 |
| RL1、RL2、RL3 | Load Resistor | {Vin/ILOADx} | 固定 |
| OPAMP | Op-amp | LMR1802YG-C | Datasheet model |
可變更元件和產品名稱清單
| 組件名稱 | 功能 | 產品名稱 | 規格 |
|---|---|---|---|
| Q1、Q2、Q3 | IGBT | RGC80TSX8R | 1800V、40A |
| RGCL60TS60D | 600V、30A | ||
| RGCL80TS60D | 600V、40A | ||
| RGS00TS65D | 650V、50A | ||
| RGS00TS65E | 650V、50A | ||
| RGS50TSX2DHR | 1200V、25A | ||
| RGS60TS65D | 650V、30A | ||
| RGS80TS65D | 650V、40A | ||
| RGS80TSX2DHR | 1200V、40A | ||
| RGT00TS65D | 650V、50A | ||
| RGT40TS65D | 650V、20A | ||
| RGT50TS65D | 650V、25A | ||
| RGT60TS65D | 650V、30A | ||
| RGT80TS65D | 650V、40A | ||
| RGTH00TS65D | 650V、50A | ||
| RGTH40TS65D | 650V、20A | ||
| RGTH50TS65D | 650V、25A | ||
| RGTH60TS65D | 650V、30A | ||
| RGTH80TS65D | 650V、40A | ||
| RGTV60TS65D | 650V、30A | ||
| RGW00TS65D | 650V、50A | ||
| RGW60TS65D | 650V、30A | ||
| RGW80TS65D | 650V、40A |
所用元件的產品名稱變更
・相關檔案連結
-
產品規格書請分別透過以下連結查閱:
IGBT(TO247封裝)
分流電阻PSR系列
接地檢測運算放大器
應用指南請透過下面的連結查閱:
低側電流檢測電路設計
PTC加熱器熱模擬的3D(三維)模型
本節將介紹PTC加熱器熱模擬中的3D(三維)模型。
下圖是創建PTC加熱器熱模擬模型(ROM*1)時使用的3D(三維)模型示意圖。另外在下表中列出了PTC加熱器的結構資訊。
*1 ROM(Reduced Order Model):採用可將3D-CAE構建的模型(三維)降維至1D(一維)的降維技術所創建的模型
PTC加熱器的3D(三維)示意圖
PTC加熱器的結構資訊
| 結構部位 | 說明 |
|---|---|
| 鋁制外殼*2 | 外形尺寸:250mm × 110mm × 120mm |
| 電路板 | 外形尺寸:100mm × 90mm × 1.6mmt 電路板材質:FR-4 銅箔厚度:70μm(2 oz 銅箔) |
| 絕緣片 | 厚度:1mm |
*2 為縮短模擬時間,未考慮鋁制外殼部分的熱容量。