電晶體｜評估篇
MOSFET的失效機制 —總結—
2023.04.26
至此，我們已經介紹了MOSFET的SOA失效、MOSFET的雪崩崩潰失效和MOSFET的dV/dt失效。要想安全使用MOSFET，首先不能超過MOSFET規格書中的絕對最大額定值，另外，瞭解這些MOSFET的失效機制之後再進行電路設計和工作條件設定是非常重要的。
下面是每篇文章的連結和關鍵要點匯總。
什麼是SOA（Safety Operation Area）失效
本文的關鍵要點
・SOA是“Safety Operation Area”的縮寫，意為“安全工作區”。
・需要在SOA範圍內使用MOSFET等產品。
・有五個SOA的制約要素，不滿足其中任何一個要素的要求都有可能會造成失效。
本文的關鍵要點
・當向MOSFET外加高於絕對最大額定值BVDSS的電壓時，會造成擊穿並引發雪崩崩潰擊穿。
・發生雪崩崩潰擊穿時，會流過大電流，存在MOSFET失效的危險。
・雪崩崩潰失效包括短路造成的失效和熱量造成的失效。
本文的關鍵要點
・dV/dt失效是MOSFET關斷時流經寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB，使寄生雙極電晶體導通而引起短路從而造成失效的現象。
・dV/dt是單位時間內的電壓變化量，VDS的上升坡度越陡，越容易發生dV/dt失效問題。
・一般來說，反向恢復特性越差，dV/dt的坡度越陡，越容易失效。