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PTC加熱器的熱模擬

2025.11.26

使用者僅需註冊並登錄MyROHM帳號,即可使用ROHM Solution Simulator這一免費線上模擬工具,並提供豐富的Solution Circuit(電路解決方案)。為了便於使用者進行熱模擬,提供包括PTC(Positive Temperature Coefficient)加熱器、線性穩壓器等各種熱模擬用的電路。

在“PTC加熱器的熱模擬”一文中,將為大家介紹PTC加熱器熱模擬中的模擬電路圖及模擬實施方法。

本文將為大家介紹PTC加熱器熱模擬中的模擬電路圖及模擬實施方法。另外本文的資料來源—《PTC加熱器熱模擬使用者指南》可從下方連結下載:

https://fscdn.rohm.com/en/products/databook/applinote/common/ptc_heater_thermal_simulation_ug-e.pdf

PTC加熱器的熱模擬電路與模擬方法

本節將介紹PTC加熱器熱模擬中所使用的模擬電路圖及模擬實施方法。

PTC(Positive Temperature Coefficient)加熱器是一種利用溫度升高時電阻也隨之增大的正溫度係數特性(PTC特性)的自我控制型加熱設備。由於其溫度會隨時間推移而趨於穩定,因此可以說是一種低功耗型加熱器。下面將介紹可同步執行PTC加熱器電氣模擬與內建元件溫度模擬的模擬電路及環境,並介紹其使用方法。透過調整元件參數,可在多種條件下執行模擬。

PTC加熱器的熱模擬電路圖示例

下方是PTC加熱器的熱模擬電路圖。黑色和藍色線路表示電氣模擬電路,紅色線路表示熱模擬電路。該電路採用的是三個開關元件IGBT(絕緣閘雙極型電晶體)並聯的結構。各IGBT均連接有負載電阻(加熱器),可獨立驅動。負載電流透過3個IGBT的ON/OFF只能進行3檔調節,並未設計採用開關方式進行微調的功能。另外該電路還配備了保護電路,透過分流電阻檢測3個負載的總電流並進行過電流保護。該熱模擬電路透過將電氣模擬計算出的元件損耗與普通PTC加熱器(包含水冷環境)轉化為熱模擬模型(ROM*1),進而計算出IGBT和分流電阻的溫度。

*1 ROM(Reduced Order Model):採用可將3D-CAE構建的模型降維至1D的降維技術所創建的模型

模擬電路模擬電路

圖中右側的四段曲線圖,分別表示3個IGBT和分流電阻的接面溫度(Junction Temperature,Tj)。啟動後,3個IGBT的接面溫度隨時間逐漸上升,約在4,334秒後趨於穩定,保持在125℃左右。中間的曲線圖表示流經分流電阻RSHUNT的電流值(3個負載的總電流),左側曲線圖表示過電流保護電路的輸出電壓。中間和左側的曲線圖,約在2,000秒後趨於穩定。

PTC加熱器的熱模擬方法

Simulation Settings(模擬設置)與執行Simulation Settings(模擬設置)與執行

執行熱模擬時,僅需點擊上圖中綠色的Run(運行)按鈕即可開始。點擊齒輪圖示即可設置模擬條件。初始狀態下,系統已預設條件並顯示模擬結果。修改模擬條件後執行熱模擬,溫度曲線圖等將隨之更新。

模擬與參數設置、過電流保護、熱模擬模型

本節將介紹PTC加熱器熱模擬相關的模擬設置、參數設置、過電流保護以及熱模擬模型。

PTC加熱器的熱模擬:模擬設置

組件的參數定義組件的參數定義

模擬時間和收斂選項等模擬設置可以透過上述面的“Simulation Settings(模擬設置)”進行設置,表中列出了模擬的初始設置。如果遇到模擬收斂問題,可以透過更改具體選項來解決。在“Manual Options(手動選項)”中已經定義電路的模擬溫度和各種參數。

Simulation Settings的初始值

參數 初始值 備註
Simulation Type Time-Domain 請勿更改模擬類型
End time 5000 secs
Advanced Options More Speed
Manual Options .TEMP 100 請將電路模擬溫度設定在IGBT的收斂溫度水準
.PARAM ・・・ 具體請參閱下表

PTC加熱器的熱模擬:參數設置

上圖中藍色標注的元件需要設置模擬條件,因此我們採用手動選項來定義參數。下表中列出了參數的初始值。如下圖所示,這些數值需填寫在模擬設置的“Manual Options”的文字方塊內。

參數的初始值

參數 變數名 初始值 單位 說明
VIN V_VIN 400 V
ILOAD1 I_LOAD1 10 A
ILOAD2 I_LOAD2 10 A
ILOAD3 I_LOAD3 10 A
VGdelay1 VG_delay1 0 sec IGBT1導通的時間點
VGdelay2 VG_delay2 1000 sec IGBT2導通的時間點
VGdelay3 VG_delay3 2000 sec IGBT3導通的時間點

模擬條件的參數定義模擬條件的參數定義

PTC加熱器的熱模擬:過電流保護

下圖為過電流保護電路。負載電流透過採用分流電阻和運算放大器的低邊檢測電路進行檢測。流經負載的總電流會因分流電阻而產生ΔVSHUNT的電壓。運算放大器將該電壓進行差分放大,當超過”Voltage to Digital”階段的閾值時,下一級開關即會導通並啟動保護功能。當忽略運算放大器的輸入失調電壓時,運算放大器的輸出VO可透過下面的公式表示:


\(V_O = I_{LOAD} \times R_{SHUNT} \times \displaystyle \frac{R2}{R1} \quad [V]\ 1\)

預設電路參數為ILOAD =30A、RSHUNT =1mΩ、R1=2kΩ、R2=120kΩ,因此將輸出VO=1.8V。”Voltage to Digital”的閾值已設定為2V(過電流≒33.3A),因此保護功能不會啟動。

過電流保護電路過電流保護電路

PTC加熱器的熱模擬:熱模擬模型

下圖中的“PTC-heater”符號表示PTC加熱器的熱模擬模型(ROM*1)。另外PTC加熱器熱模擬模型的引腳說明見下表。

*1 ROM(Reduced Order Model):採用可將3D-CAE構建的模型降維至1D的降維技術所創建的模型

熱模擬模型熱模擬模型

熱模擬模型的引腳說明

引腳名 說明
S_S_IGBT_1 輸入IGBT1的損耗,監測TJ
S_S_IGBT_2 輸入IGBT2的損耗,監測TJ
S_S_IGBT_3 輸入IGBT3的損耗,監測TJ
S_S_Res 輸入RSHUNT的損耗,監測TJ
F_Heater 加熱器溫度
F_Water_Near_Side 冷卻水溫度(入口)
F_Water_Far_Side 冷卻水溫度(出口)
F_20CAmbient 環境溫度
S_M_IGBT1_mold 監測IGBT1的封裝溫度(以高阻抗接收)
S_M_IGBT2_mold 監測IGBT2的封裝溫度(以高阻抗接收)
S_M_IGBT3_mold 監測IGBT3的封裝溫度(以高阻抗接收)
S_M_R_lead 監測RSHUNT的引線溫度(以高阻抗接收)
  • ・ S_S_xxxx引腳可透過輸入元件損耗值來監測元件溫度。
  • ・ F_xxxx引腳連接”tc_amb”,並設置為該位置的溫度值。
  • ・ S_M_xxxx引腳可用於監測IGBT的封裝溫度和分流電阻的引線溫度。

PTC加熱器的熱模擬:元件和物料清單

本節將介紹PTC加熱器熱模擬中的元件與物料清單以及相關檔。

下圖列出了PTC加熱器熱模擬中使用的主要元件名稱。各組件的初始值請參照下表。部分元件支援從預先配備的元件清單中選擇所需產品。後面一個表格中列出了可更換的元件及其產品名稱清單。更改元件名稱的步驟如後一個圖所示,在元件上按右鍵,選擇”Properties”選項,然後從“Property Editor”的“Spicelib Part”中選擇要使用的產品名稱。

PTC加熱器的熱模擬:元件和物料清單

主要元件名稱、元件初始值

組件名稱 功能 初始值 備註
Q1、Q2、Q3 IGBT RGS00TS65D TO247封裝
可更改
RSHUNT Resistor 1mΩ PSR100系列 常數可選
RL1、RL2、RL3 Load Resistor {Vin/ILOADx} 固定
OPAMP Op-amp LMR1802YG-C Datasheet model

可變更元件和產品名稱清單

組件名稱 功能 產品名稱 規格
Q1、Q2、Q3 IGBT RGC80TSX8R 1800V、40A
RGCL60TS60D 600V、30A
RGCL80TS60D 600V、40A
RGS00TS65D 650V、50A
RGS00TS65E 650V、50A
RGS50TSX2DHR 1200V、25A
RGS60TS65D 650V、30A
RGS80TS65D 650V、40A
RGS80TSX2DHR 1200V、40A
RGT00TS65D 650V、50A
RGT40TS65D 650V、20A
RGT50TS65D 650V、25A
RGT60TS65D 650V、30A
RGT80TS65D 650V、40A
RGTH00TS65D 650V、50A
RGTH40TS65D 650V、20A
RGTH50TS65D 650V、25A
RGTH60TS65D 650V、30A
RGTH80TS65D 650V、40A
RGTV60TS65D 650V、30A
RGW00TS65D 650V、50A
RGW60TS65D 650V、30A
RGW80TS65D 650V、40A

所用元件的產品名稱變更所用元件的產品名稱變更

・相關檔案連結

PTC加熱器熱模擬的3D(三維)模型

本節將介紹PTC加熱器熱模擬中的3D(三維)模型。

下圖是創建PTC加熱器熱模擬模型(ROM*1)時使用的3D(三維)模型示意圖。另外在下表中列出了PTC加熱器的結構資訊。

*1 ROM(Reduced Order Model):採用可將3D-CAE構建的模型(三維)降維至1D(一維)的降維技術所創建的模型

PTC加熱器的3D(三維)示意圖PTC加熱器的3D(三維)示意圖

PTC加熱器的結構資訊

結構部位 說明
鋁制外殼*2 外形尺寸:250mm × 110mm × 120mm
電路板 外形尺寸:100mm × 90mm × 1.6mmt
電路板材質:FR-4
銅箔厚度:70μm(2 oz 銅箔)
絕緣片 厚度:1mm

*2 為縮短模擬時間,未考慮鋁制外殼部分的熱容量。

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