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SiC功率元件
基礎篇
應用篇
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基礎篇
前言
何謂碳化矽﹙Silicon Carbide﹚
SiC功率元件的開發背景和優點
什麼是SiC蕭特基二極體? —前言—
所謂SiC-SBD-特徵以及與Si二極體的比較
所謂SiC-SBD-與Si-PND的反向恢復特性比較
所謂SiC-SBD-與Si-PND的正向電壓比較
所謂SiC-SBD-SiC-SBD的發展歷程
所謂SiC-SBD-使用SiC-SBD的優勢
所謂SiC-SBD-關於可靠性試驗
SiC-MOSFET的特長
功率電晶體的結構與特長比較
何謂SiC-MOSFET-本體二極體的特性
所謂SiC-MOSFET-與Si-MOSFET的區別
與IGBT的區別
何謂SiC-MOSFET-溝槽結構SiC-MOSFET與實際產品
何謂SiC-MOSFET-SiC-MOSFET的應用實例
何謂SiC-MOSFET-SiC-MOSFET的可靠性
所謂全SiC功率模組
全SiC功率模組的切換損耗
運用要點:閘極驅動 其1
運用要點:閘極驅動 其2
運用要點:緩衝(Snubber)電容
應用要點: 專用閘極驅動器和緩衝(Snubber)模組的效果
總結
應用篇
SiC MOSFET:橋式結構中Gate-Source電壓的動作 前言
SiC MOSFET的橋式結構
SiC MOSFET的閘極驅動電路和Turn-on/Turn-off動作
橋式電路切換產生的電流和電壓
低側切換導通時的Gate-Source間電壓的動作
低側切換關斷時的Gate-Source間電壓的動作
總結
SiC MOSFET:根據開關波形計算損耗的方法
SiC MOSFET:Snubber電路的設計方法 —前言—
汲極和源極之間產生的突波
C緩衝電路的設計
RC緩衝電路的設計
放電型RCD緩衝電路的設計
非放電型RCD緩衝電路(Snubber Circuit)的設計
封裝引起的突波差異
SiC MOSFET:緩衝電路(Snubber Circuit)設計方法 -總結-
SiC MOSFET:閘極-源極電壓的突波抑制方法 —前言—
什麼是閘極-源極電壓產生的突波?
突波抑制電路
正電壓突波對策
負電壓突波對策
突波抑制電路的電路板佈局注意事項
SiC MOSFET : 閘極-源極電壓的突波抑制方法 —總結—
透過驅動器源極引腳改善開關損耗 —前言—
傳統的MOSFET驅動方法
有驅動器源極引腳的封裝
有無驅動器源極引腳的差異及其效果
驅動器源極引腳的效果:雙脈衝測試比較
橋式結構中的閘極-源極間電壓的行為:導通時
橋式結構中的閘極-源極間電壓的行為:關斷時
電路板佈線佈局相關的注意事項
測量SiC MOSFET閘-源電壓時的注意事項:一般測量方法
探針的連接方法
測量位置的選擇
探頭頭部的安裝位置
在橋式結構中的注意事項 -探頭的CMRR
在EV應用中使用第4代SiC MOSFET的效果
在EV應用中使用第4代SiC MOSFET的效果:EV應用
在EV應用中使用第4代SiC MOSFET的效果:Totem pole PFC實機評估
使用最新世代SiC MOSFET降低損耗實證
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